| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| GB/T 6256-1986 |
工业加热三极管空白详细规范(可供认证用) |
国家标准局
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1987-04-01 |
作废 |
| GB/T 6351-1998 |
半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范 |
国家质量技术监督局
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1999-06-01 |
现行 |
| GB/T 6352-1998 |
半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 |
国家质量技术监督局
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1999-06-01 |
现行 |
| GB/T 6570-1986 |
微波二极管测试方法 |
国家标准局
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1987-07-01 |
作废 |
| GB/T 6571-1995 |
半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 |
国家技术监督局
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1996-04-01 |
现行 |
| GB/T 6588-2000 |
半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 |
国家质量技术监督局
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2001-10-01 |
现行 |
| GB/T 6589-1986 |
电压调整和电压基准二极管(包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范(可供认证用) |
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1987-07-01 |
作废 |
| GB/T 6589-2002 |
半导体器件 分立器件 第3-2部分: 信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2003-05-01 |
现行 |
| GB/T 6590-1998 |
半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 |
国家质量技术监督局
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1999-06-01 |
现行 |
| GB/T 7576-1998 |
半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范 |
国家质量技术监督局
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1999-06-01 |
现行 |
| GB/T 7577-1996 |
低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范 |
国家技术监督局
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1997-01-01 |
现行 |
| GB/T 7581-1987 |
半导体分立器件外形尺寸 |
国家标准局
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1987-11-01 |
现行 |
| GB/T 8446.1-1987 |
电力半导体器件用散热器 |
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1999-05-01 |
作废 |
| GB/T 8446.1-2004 |
电力半导体器件用散热器 第1部分：铸造类系列 |
国家质量监督检验检疫.
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2004-08-01 |
作废 |
| GB/T 8446.2-1987 |
电力半导体器件用散热器热阻和流阻测试方法 |
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2004-08-01 |
作废 |
| GB/T 8446.2-2004 |
电力半导体器件用散热器 第2部分：热阻和流阻测试方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2004-08-01 |
作废 |
| GB/T 8446.3-1988 |
电力半导体器件用散热器 绝缘件和紧固件 |
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1989-09-01 |
作废 |
| GB/T 9313-1995 |
数字电子计算机用阴极射线管 显示设备通用技术条件 |
国家技术监督局
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1996-08-01 |
现行 |
| GB 9432-1988 |
工业加热用四极管空白详细规范 |
信息产业部（电子）
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1989-02-01 |
作废 |
| JB/T 10096-2000 |
电力半导体器件管壳结构及选用导则 |
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2000-10-01 |
现行 |
| JB/T 10097-2000 |
电力半导体器件和管壳 |
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2000-10-01 |
现行 |
| JB/T 11050-2010 |
交流固态继电器 |
工业和信息化部
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2010-07-01 |
现行 |
| JB/T 9684-2000 |
电力半导体器件用散热器选用导则 |
国家机械工业局
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2000-10-01 |
现行 |
| SJ/T 10229-1991 |
ＸＪ４８１０半导体管特性图示仪 |
机械电子工业部
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1991-12-01 |
废止 |
| SJ/T 11152-1998 |
交流粉末电致发光显示器件空白详细规范 |
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1998-05-01 |
现行 |
| SJ/T 11225-2000 |
电子元器件详细规范 3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管 |
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2000-10-01 |
现行 |
| SJ/T 11226-2000 |
电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管 |
|
2000-10-01 |
现行 |
| SJ/T 11227-2000 |
电子元器件详细规范 3DA98型NPN硅高频大功率晶体管 |
|
2000-10-01 |
现行 |
| SJ 20938-2005 |
微波电路变频测试方法 |
|
2006-06-01 |
现行 |
| SJ 20957-2006 |
大功率半导体激光二极管阵列通用规范 |
|
2006-12-30 |
现行 |
| SJ 20961-2006 |
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 |
|
2006-12-30 |
现行 |
| SJ 20972-2007 |
电荷耦合成像组件通用规范 |
|
2007-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/162-2003 |
半导体分立器件2CW1022型硅双向电压调整二极管详细规范 |
|
2004-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/163-2003 |
半导体分立器件3DK457型功率开关晶体管详细规范 |
|
2004-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/164-2003 |
半导体分立器件PIN0002型PIN二极管详细规范 |
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2004-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/165-2003 |
半导体分立器件PIN0003型PIN二极管详细规范 |
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2004-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/166-2004 |
半导体分立器件3DA507型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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2004-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/167-2004 |
半导体分立器件3DA508型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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2004-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/168-2004 |
半导体分立器件3DA509型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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2004-12-01 |
现行 |
| SJ 50033/169-2004 |
半导体分立器件3DA510型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
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2004-12-01 |
现行 |