| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| T/CASAS 044-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高压高温高湿反偏试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 045-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 046-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 047-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CEC 155-2018 |
柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）器件的一般要求 |
中国电力企业联合会
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2018-04-01 |
现行 |
| T/CEPEA 0101-2023 |
IGBT模块焊接质量X射线实时成像检测方法 |
中国电子专用设备工业.
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2024-03-15 |
现行 |
| T/CIE 115-2021 |
电子元器件失效机理、模式及影响分析(FMMEA)通用方法和程序 |
中国电子学会
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2022-02-01 |
现行 |
| T/CIE 116-2021 |
电子元器件故障树分析方法与程序 |
中国电子学会
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2022-02-01 |
现行 |
| T/CIE 119-2021 |
半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序 |
中国电子学会
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2022-02-01 |
现行 |
| T/CIE 121-2021 |
逆导型IGBT的热阻测试方法 |
中国电子学会
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2022-02-01 |
现行 |
| T/CIE 145-2022 |
辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法 |
中国电子学会
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2023-01-31 |
现行 |
| T/CIE 147-2022 |
空间行波管加速寿命试验评估技术规范 |
中国电子学会
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2023-01-31 |
现行 |
| T/CIE 225-2024 |
硅光芯片封装设计指南 |
中国电子学会
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2024-07-01 |
现行 |
| T/IAWBS 004-2017 |
电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法 |
中关村天合宽禁带半导.
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2017-12-31 |
现行 |
| T/QGCML 2892-2023 |
电动汽车电驱动用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块技术条件 |
全国城市工业品贸易中.
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2023-12-31 |
现行 |
| T/SLEIA 0003-2024 |
光电耦合器可靠性评价方法 |
深圳市龙岗区电子行业.
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2024-02-26 |
现行 |
| T/SLEIA 0004-2024 |
集成电路芯片长期贮存技术规范 |
深圳市龙岗区电子行业.
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2024-02-26 |
现行 |