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英文名称: |
Semiconductor Devices—Discrete deveice—Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes—Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes) |
替代情况: |
GB/T 6589-1986 |
中标分类: |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L41半导体二极管 |
ICS分类: |
电子学>>半导体器件>>31.080.10二极管 |
采标情况: |
IEC 60747-3-2:1986,IDT |
发布部门: |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 |
发布日期: |
2002-12-04 |
实施日期: |
2003-05-01
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首发日期: |
1986-07-24 |
复审日期: |
2023-12-28 |
提出单位: |
中华人民共和国信息产业部赵英 |
归口单位: |
全国半导体器件标准化技术委员会 |
主管部门: |
信息产业部(电子) |
起草单位: |
中国电子技术标准化研究所(CESI) |
起草人: |
赵英 |
页数: |
平装16开, 页数:14, 字数:23千字 |
出版社: |
中国标准出版社 |
书号: |
155066.1-19689 |
出版日期: |
2003-05-01 |
标准前页: |
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