| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| GB/T 17864-1999 |
关键尺寸（CD）计量方法 |
国家质量技术监督局
|
2000-06-01 |
现行 |
| GB/T 17865-1999 |
焦深与最佳聚焦的测量规范 |
国家质量技术监督局
|
2000-06-01 |
现行 |
| GB/T 17866-1999 |
掩模缺陷检查系统灵敏度分析所用的特制缺陷掩模和评估测量方法准则 |
国家质量技术监督局
|
2000-06-01 |
现行 |
| GB/T 17940-2000 |
半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 |
国家质量监督检验检疫.
|
2000-08-01 |
现行 |
| GB/T 18500.1-2001 |
半导体器件 集成电路 第4部分：接口集成电路 第一篇：线性数字/模拟转换器(DAC)空白详细规范 |
国家质量监督检验检疫.
|
2002-06-01 |
现行 |
| GB/T 18500.2-2001 |
半导体器件 集成电路 第4部分：接口集成电路 第二篇：线性模拟/数字转换器（ADC）空白详细规范 |
国家质量监督检验检疫.
|
2002-06-01 |
现行 |
| GB/T 19248-2003 |
封装引线电阻测试方法 |
国家质量监督检验检疫.
|
2003-10-01 |
现行 |
| GB/T 19403.1-2003 |
半导体器件 集成电路 第11部分：第1篇：半导体集成电路 内部目检 （不包括混合电路） |
国家质量监督检验检疫.
|
2004-08-01 |
现行 |
| GB/T 20296-2006 |
集成电路记忆法与符号 |
国家质量监督检验检疫.
|
2007-01-01 |
作废 |
| GB/T 20296-2012 |
集成电路记忆法与符号 |
国家质量监督检验检疫.
|
2013-07-01 |
现行 |
| GB/T 20515-2006 |
半导体器件 集成电路 第5部分：半定制集成电路 |
国家质量监督检验检疫.
|
2007-02-01 |
现行 |
| GB/T 20870.10-2023 |
半导体器件 第16-10部分：单片微波集成电路技术可接收程序 |
国家市场监督管理总局.
|
2024-01-01 |
现行 |
| GB/T 26111-2010 |
微机电系统（MEMS）技术 术语 |
国家质量监督检验检疫.
|
2011-10-01 |
作废 |
| GB/T 26112-2010 |
微机电系统（MEMS）技术 微机械量评定总则 |
国家质量监督检验检疫.
|
2011-10-01 |
现行 |
| GB/T 26113-2010 |
微机电系统（MEMS）技术 微几何量评定总则 |
国家质量监督检验检疫.
|
2011-10-01 |
现行 |
| GB/T 26113-2010E |
微机电系统（MEMS)技术 微几何量评定总则（英文版） |
General Ad.
|
2011-10-01 |
现行 |
| GB/T 28274-2012 |
硅基MEMS制造技术 版图设计基本规则 |
国家质量监督检验检疫.
|
2012-12-01 |
现行 |
| GB/T 28275-2012 |
硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范 |
国家质量监督检验检疫.
|
2012-12-01 |
现行 |
| GB/T 28276-2012 |
硅基MEMS制造技术 体硅溶片工艺规范 |
国家质量监督检验检疫.
|
2012-12-01 |
现行 |
| GB/T 28277-2012 |
硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法 |
国家质量监督检验检疫.
|
2012-12-01 |
现行 |
| GB/T 32814-2016 |
硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范 |
国家质量监督检验检疫.
|
2017-03-01 |
现行 |
| GB/T 32815-2016 |
硅基MEMS制造技术 体硅压阻加工工艺规范 |
国家质量监督检验检疫.
|
2017-03-01 |
现行 |
| GB/T 32816-2016 |
硅基MEMS制造技术 以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范 |
国家质量监督检验检疫.
|
2017-03-01 |
现行 |
| GB/T 33657-2017 |
纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范 |
国家质量监督检验检疫.
|
2017-12-01 |
现行 |
| GB/T 33922-2017 |
MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-02-01 |
现行 |
| GB/T 33929-2017 |
MEMS高g值加速度传感器性能试验方法 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-02-01 |
现行 |
| GB 3430-1989 |
半导体集成电路型号命名方法 |
机械电子工业部
|
1990-04-01 |
废止 |
| GB 3431.2-1986 |
半导体集成电路文字符号 引出端功能符号 |
国家标准局
|
1987-04-01 |
现行 |
| GB/T 3432.4-1989 |
半导体集成电路TTL电路系列和品种 54/74LS系列的品种 |
信息产业部（电子）
|
1990-04-01 |
作废 |
| GB/T 3434-1986 |
半导体集成电路ECL电路系列和品种 |
国家标准局
|
1986-01-02 |
作废 |
| GB/T 3435-1987 |
半导体集成CMOS电路系列和品种 4000系列的品种 |
国家标准局
|
1987-08-01 |
作废 |
| GB/T 34893-2017 |
微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构面内长度测量方法 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-05-01 |
现行 |
| GB/T 34894-2017 |
微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构应变梯度测量方法 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-05-01 |
现行 |
| GB/T 34898-2017 |
微机电系统（MEMS）技术 MEMS谐振敏感元件非线性振动测试方法 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-05-01 |
现行 |
| GB/T 34899-2017 |
微机电系统（MEMS）技术 基于拉曼光谱法的微结构表面应力测试方法 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-05-01 |
现行 |
| GB/T 34900-2017 |
微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-05-01 |
现行 |
| GB/T 35001-2018 |
微波电路 噪声源测试方法 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35002-2018 |
微波电路 频率源测试方法 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35003-2018 |
非易失性存储器耐久和数据保持试验方法 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35004-2018 |
数字集成电路 输入/输出电气接口模型规范 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |