工标网 回首页
标准分类  最新标准New!  标准公告 标准动态  标准论坛
 高级查询
帮助 | 登录 | 注册
查标准上工标网 免费查询标准最新替代作废信息
 您的位置:工标网 >> >> GB/T 28277-2012

硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法

国家标准
标准编号:GB/T 28277-2012 标准状态:现行
标准价格:43.0 客户评分:星星星星1
本标准有现货可当天发货一线城市最快隔天可到!
点击放入购物车 如何购买?问客服 放入收藏夹,免费跟踪本标准更替信息! 参与评论本标准
标准简介
本标准规定了硅基MEMS加工过程中所涉及的微小键合区域键合强度检测的要求和试验方法。
本标准适用于采用微电子工艺及相关微细加工技术制造的微小键合区的剪切和拉压强度测试。
英文名称:  Silicon-based MEMS fabrication technology—Measurement method of cutting and pull-press strength of micro bonding area
什么是中标分类? 中标分类:  电子元器件与信息技术>>微电路>>L55微电路综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电子学>>31.200集成电路、微电子学
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2012-05-11
实施日期:  2012-12-01
首发日期:  2012-05-11
复审日期:  2023-12-28
提出单位:  全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
什么是归口单位? 归口单位:  全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
主管部门:  全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
起草单位:  北京大学、中机生产力促进中心、中国电子科技集团第十三研究所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国电子科技集团第四十九研究所
起草人:  张大成、王玮、刘伟、杨芳、姜森林、崔波、熊斌、田雷
页数:  24页
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2012-12-01
  [ 评论 ][ 关闭 ]
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。
本标准起草单位:北京大学、中机生产力促进中心、中国电子科技集团第十三研究所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国电子科技集团第四十九研究所。
本标准主要起草人:张大成、王玮、刘伟、杨芳、姜森林、崔波、熊斌、田雷。
目录
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 要求 2
4.1 检测结构的设计要求 2
4.2 检测结构制备要求 4
4.3 检测环境要求 4
5 检测方法 5
5.1 总则 5
5.2 拉压式微结构键合强度检测 5
5.3 剪切式微结构键合强度检测 6
附录A (资料性附录) 拉压式检测结构设计尺寸和断裂强度对应表 8
附录B(资料性附录) 拉压式检测结构测试实例 16
引用标准
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T26111—2010 微机电系统(MEMS)技术 术语和定义
GB/T19022—2003 测量管理体系 测量过程和测量设备的要求

微电路综合相关标准 第1页 第2页 
 GB/T 32815-2016 硅基MEMS制造技术 体硅压阻加工工艺规范
 GB/T 32816-2016 硅基MEMS制造技术 以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范
 GB/T 32817-2016 半导体器件 微机电器件 MEMS总规范
 GB/T 33922-2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法
 GB/T 33929-2017 MEMS高g值加速度传感器性能试验方法
 GB/T 34893-2017 微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构面内长度测量方法
 GB/T 34894-2017 微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构应变梯度测量方法
 GB/T 34898-2017 微机电系统(MEMS)技术 MEMS谐振敏感元件非线性振动测试方法
 GB/T 34899-2017 微机电系统(MEMS)技术 基于拉曼光谱法的微结构表面应力测试方法
 GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
 免费下载微电路综合标准相关目录

集成电路、微电子学相关标准 第1页 第2页 第3页 第4页 
 GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
 GB 3430-1989 半导体集成电路型号命名方法
 GB 3431.2-1986 半导体集成电路文字符号 引出端功能符号
 GB/T 3432.4-1989 半导体集成电路TTL电路系列和品种 54/74LS系列的品种
 GB/T 3434-1986 半导体集成电路ECL电路系列和品种
 GB/T 3435-1987 半导体集成CMOS电路系列和品种 4000系列的品种
 GB/T 35001-2018 微波电路 噪声源测试方法
 GB/T 35002-2018 微波电路 频率源测试方法
 GB/T 35003-2018 非易失性存储器耐久和数据保持试验方法
 GB/T 35004-2018 数字集成电路 输入/输出电气接口模型规范
 免费下载集成电路、微电子学标准相关目录

 发表留言
内 容
  用户:   口令:  
 
 
客服中心
有问题?找在线客服 点击和客服交流,我们的在线时间是:工作日8:30至18:00,节假日;9:00至17:00。工标网欢迎您和我们联系!
未开通400地区或小灵通请直接拨打0898-3137 2222 400-7255-888
客服QQ 1197428036 992023608
MSN或电子邮件 18976748618 13876321121
温馨提示:标准更新替换较快,请注意您购买的标准时效性。
常见问题 帮助中心
我为什么找不到我想要的标准?
配送范围、配送时间和收费标准
如何付款,支持哪些付款方式?
您浏览过的标准  清除
进口废物环境保护控制标准 废钢铁
余摆线真空泵 技术条件
您可能还需要 更多
半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引..
自动砂轮划片机通用技术条件
砂轮划片机完好要求和检查评定方法..
晶片数控切割(划片)机完好要求和检查..
封装引线电阻测试方法
半导体器件键合用铝丝
半导体器件键合用金丝
半导体器件键合用金丝
必备软件下载
Adobe Acrobat Reader 是一个查看、 阅读和打印PDF文件的最佳工具,通 过它可以查阅本站的标准文档
pdf下载
搜索更多
google 中搜索:GB/T 28277-2012 硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法
baidu 中搜索:GB/T 28277-2012 硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法
yahoo 中搜索:GB/T 28277-2012 硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法
soso 中搜索:GB/T 28277-2012 硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法
中搜索:GB/T 28277-2012 硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法
 
付款方式 - 关于我们 - 帮助中心 - 联系我们 - 诚聘英才 - 合作伙伴 - 使用条款
QQ:1197428036 992023608 有问题? 联系在线客服
Copyright © 工标网 2005-2023,All Right Reserved