| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| T/CSA 100-2025 |
Micro-LED芯片光电性能测试方法 |
中关村半导体照明工程.
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2025-09-28 |
现行 |
| T/ZSA 301-2025 |
单片集成相干光接收器芯片 |
中关村标准化协会
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2025-05-07 |
现行 |
| GB/Z 107-2025 |
半导体器件 基于扫描的半导体器件退化水平评估 |
国家市场监督管理总局.
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2025-12-03 |
现行 |
| DB52/T 1104-2016 |
半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法 |
贵州省质量技术监督局
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2016-10-01 |
废止 |
| GB/T 11499-2001 |
半导体分立器件文字符号 |
国家质量监督检验检疫.
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2002-06-01 |
现行 |
| GB/T 12560-1999 |
半导体器件 分立器件分规范 |
国家质量技术监督局
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2000-03-01 |
现行 |
| GB/T 15879.612-2025 |
半导体器件的机械标准化 第6-12部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 密节距焊盘阵列封装（FLGA）的设计指南 |
国家市场监督管理总局.
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2026-07-01 |
即将实施 |
| GB/T 17573-1998 |
半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则 |
国家质量技术监督局
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1999-06-01 |
现行 |
| GB/T 20516-2006 |
半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件 |
国家质量监督检验检疫.
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2007-02-01 |
现行 |
| GB/T 20521-2006 |
半导体器件 第14-1部分：半导体传感器-总则和分类 |
国家质量监督检验检疫.
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2007-02-01 |
现行 |
| GB/T 20521.4-2025 |
半导体器件 第14-4部分：半导体传感器 半导体加速度计 |
国家市场监督管理总局.
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2026-07-01 |
即将实施 |
| GB/T 20521.5-2025 |
半导体器件 第14-5部分：半导体传感器 PN结半导体温度传感器 |
国家市场监督管理总局.
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2026-07-01 |
即将实施 |
| GB/T 20522-2006 |
半导体器件 第14-3部分：半导体传感器-压力传感器 |
国家质量监督检验检疫.
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2007-02-01 |
现行 |
| GB/T 20870.1-2007 |
半导体器件 第16-1部分：微波集成电路 放大器 |
国家质量监督检验检疫.
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2007-09-01 |
现行 |
| GB/T 20870.2-2023 |
半导体器件 第16-2部分：微波集成电路 预分频器 |
国家市场监督管理总局.
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2023-09-07 |
现行 |
| GB/T 20870.4-2024 |
半导体器件 第16-4部分：微波集成电路 开关 |
国家市场监督管理总局.
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2024-10-26 |
现行 |
| GB/T 20870.5-2023 |
半导体器件 第16-5部分：微波集成电路 振荡器 |
国家市场监督管理总局.
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2024-01-01 |
现行 |
| GB/T 249-2017 |
半导体分立器件型号命名方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2017-12-01 |
现行 |
| GB/T 249-2026 |
半导体分立器件型号命名方法 |
国家市场监督管理总局.
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2026-09-01 |
即将实施 |
| GB/T 29332-2012 |
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
国家质量监督检验检疫.
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2013-06-01 |
现行 |
| GB/T 45716-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 |
国家市场监督管理总局.
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2025-09-01 |
现行 |
| GB/T 45718-2025 |
半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
国家市场监督管理总局.
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2025-09-01 |
现行 |
| GB/T 45719-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 |
国家市场监督管理总局.
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2025-09-01 |
现行 |
| GB/T 45720-2025 |
半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
国家市场监督管理总局.
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2025-09-01 |
现行 |
| GB/T 45721.1-2025 |
半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验 |
国家市场监督管理总局.
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2025-09-01 |
现行 |
| GB/T 45722-2025 |
半导体器件 恒流电迁移试验 |
国家市场监督管理总局.
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2025-09-01 |
现行 |
| GB/T 4589.1-2006 |
半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2007-02-01 |
现行 |
| GB/T 46717-2025 |
半导体器件 金属化空洞应力试验 |
国家市场监督管理总局.
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2026-05-01 |
即将实施 |
| GB/T 46788-2025 |
半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的锡须的环境接收要求 |
国家市场监督管理总局.
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2026-07-01 |
即将实施 |
| GB/T 46789-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 |
国家市场监督管理总局.
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2026-07-01 |
即将实施 |
| GB/T 4937.10-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第10部分：机械冲击 器件和组件 |
国家市场监督管理总局.
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2026-07-01 |
即将实施 |
| GB/T 4937.11-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分：快速温度变化 双液槽法 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.12-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分：扫频振动 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.13-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分：盐雾 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.14-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分：引出端强度（引线牢固性） |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.15-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.16-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第16部分：粒子碰撞噪声检测（PIND） |
国家市场监督管理总局.
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2026-05-01 |
即将实施 |
| GB/T 4937.17-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分：中子辐照 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.18-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分：电离辐照(总剂量) |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.19-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分：芯片剪切强度 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |