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| 英文名称： |
Semiconductor devices—Metallization stress void test |
| 标准状态： |
即将实施 |
 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合 |
| ICS分类： |
电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合 |
| 采标情况： |
IEC 62418:2010 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2025-10-31 |
| 实施日期： |
2026-05-01
即将实施 距离实施日期还有12天 |
| 提出单位： |
中华人民共和国工业和信息化部 |
| 归口单位： |
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78) |
| 起草单位： |
中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、广州天极电子科技股份有限公司、中国核电工程有限公司河北分公司、广东科信电子有限公司、河北新华北集成电路有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、中山奥士森电子有限公司等 |
| 起草人： |
裴选、席善斌、杨俊锋、侯继儒、卫云、高东阳、尹丽晶、吴亚光、赵昱、柯佳键、任怀龙、肖庆中、龙秀才、程志勇、曲韩宾、高博、李潇龙、曲佳健、赵妍婷 |
| 页数： |
20页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |