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半导体器件 应力迁移试验 第1部分:铜应力迁移试验

国家标准
标准编号:GB/T 45721.1-2025 标准状态:现行
标准价格:54.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本文件规定了一种恒温老化方法,该方法用于试验微电子晶圆上的铜(Cu)金属化测试结构对应力诱生空洞(SIV)的敏感性。该方法将主要在产品的晶圆级工艺开发过程中进行,其结果将用于寿命预测和失效分析。在某些情况下,该方法能应用于封装级试验。由于试验时间长,此方法不适用于产品批次性交付检查。
双大马士革铜金属化系统通常在蚀刻到介电层的沟槽的底部和侧面具有内衬,例如钽(Ta)或氮化钽(TaN)。因此,对于单个通孔接触下面宽线的结构,通孔下方空洞引起的阻值漂移达到失效判据规定的某一百分比时,将会瞬间导致开路失效。
英文名称:  Semiconductor devices—Stress migration test—Part 1:Copper stress migration test
什么是中标分类? 中标分类:  电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合
什么是采标情况? 采标情况:  IEC 62880-1:2017
发布部门:  国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:  2025-05-30
实施日期:  2025-09-01
提出单位:  中华人民共和国工业和信息化部
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
起草单位:  工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、河北北芯半导体科技有限公司、华南理工大学、杭州飞仕得科技股份有限公司、广东工业大学、广东气派科技有限公司、中绍宣标准科技集团有限公司
起草人:  黄云、肖庆中、高汭、韦覃如、成立业、雷登云、周振威、陈思、黄钦文、贾沛、赵海龙、姚若河、李军、万永康、虞勇坚、刘东月、陈勇、崔从俊
页数:  28页【彩图】
出版社:  中国标准出版社
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