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硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
标准编号:
GB/T 1553-1997
标准状态:
已作废
标准价格:
13.0
元
客户评分:
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标准简介
本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。
英文名称:
STANDARD test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay
标准状态:
已作废
替代情况:
替代
GB 1553-1979
;
GB 5257-1985
;被
GB/T 1553-2009
代替
中标分类:
冶金
>>
金属理化性能试验方法
>>
H21金属物理性能试验方法
ICS分类:
冶金
>>
金属材料试验
>>
77.040.01金属材料试验综合
采标情况:
=ASTM F28-90
发布部门:
国家技术监督局
发布日期:
1997-06-03
实施日期:
1997-01-02
作废日期:
2010-06-01
首发日期:
1979-05-26
复审日期:
2004-10-14
归口单位:
全国半导体材料和设备标准化技术委员会
主管部门:
国家标准化管理委员会
起草单位:
峨嵋半导体材料厂
页数:
平装16开, 页数:17, 字数:29千字
出版社:
中国标准出版社
书号:
155066.1-14169
出版日期:
2004-04-01
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