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硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法
标准编号:
GB/T 1551-1995
标准状态:
已作废
标准价格:
12.0
元
客户评分:
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标准简介
本标准规定了用直流两探针测量硅和锗单晶锭电阻率的方法。本标准适用于测量截面积均匀的圆形、方形或矩形单晶锭的电阻率。
英文名称:
Test method for rseistivity of silicon and germanium bars using a two-point probe
标准状态:
已作废
替代情况:
替代
GB 1551-1979
;
GB 5253-1985
;被GB/T 1551-2009代替
中标分类:
冶金
>>
金属理化性能试验方法
>>
H21金属物理性能试验方法
ICS分类:
冶金
>>
金属材料试验
>>
77.040.30金属材料化学分析
UDC分类:
669.7821.783;621.317.33
采标情况:
,
发布部门:
国家技术监督局
发布日期:
1995-04-18
实施日期:
1995-01-02
作废日期:
2010-06-01
首发日期:
1979-05-26
复审日期:
2004-10-14
归口单位:
全国半导体材料和设备标准化技术委员会
主管部门:
国家标准化管理委员会
起草单位:
上海有色金属工业总公司
页数:
平装16开, 页数:13, 字数:20千字
出版社:
中国标准出版社
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