碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法 |
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| 标准编号：T/CASAS 047-2024 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：31.0 元 |
客户评分：  |
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本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法，用于评估高温高湿高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。
本文件适用于单管级和模块级SiC MOSFET。 |
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| 英文名称： |
Dynamic high-humidity,high-temperature reverse bias test method (DH3TRB) for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET) |
 ICS分类： |
电子学>>31.080半导体器件 |
| 发布部门： |
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 发布日期： |
2024-11-19 |
| 实施日期： |
2024-11-19
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| 提出单位： |
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 归口单位： |
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 起草单位： |
工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、中国科学院电工研究所、比亚迪半导体股份有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司、复旦大学宁波研究院、东风汽车集团有限公司、湖北九峰山实验室、深圳市禾望电气股份有限公司、杭州芯迈半导体技术有限公司等 |
| 起草人： |
陈媛、施宜军、何亮、毛赛君、陈兴欢、王宏跃、赵鹏、蔡宗棋、张瑾、吴海平、孙博韬、丁琪超、左元慧、张俊然、李钾、王民、王丹丹、谢峰、闵晨、杨霏、刘昌、暴杰、徐思晗、李汝冠、王来利、王铁羊、刘陆川、胡浩林、李炜鸿、赵高锋、李本亮、高伟 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
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