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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)高压高温高湿反偏试验方法

国家标准
标准编号:T/CASAS 044-2024 标准状态:现行
标准价格:31.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)高压高温高湿反偏试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。
本文件适用范围:SiC MOSFET分立功率器件,功率模块。
英文名称:  High voltage high temperature high humidity reverse bias test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET)
什么是中标分类? 中标分类:  >>电子元器件与信息技术>>L40/49半导体分立器件
什么是ICS分类?  ICS分类:  电子学>>31.080半导体器件
发布部门:  北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期:  2024-11-19
实施日期:  2024-11-19
提出单位:  北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
什么是归口单位? 归口单位:  北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草单位:  忱芯科技(上海)公司、工业和信息化部电子第五研究所、复旦大学、杭州芯迈半导体技术有限公司、浙江大学、广电计量检测集团股份有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、东风汽车集团有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司、怀柔实验室等
起草人:  赛君、杨书豪、陈媛、侯欣蓝、罗润鼎、陆月明、王珩宇、李汝冠、谢峰、陈志玉、孙相超、李钾、王民、孙博韬、陈中圆、王丹丹、周紫薇、刘红超、郭清、林氦、王来利、张雷、王阳、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、段果、李本亮、高伟
出版社:  中国标准出版社
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前言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)提出并归口。

本文件起草单位:忧芯科技(上海)公司、工业和信息化部电子第五研究所、复旦大学、杭州芯迈半导体技术有限公司、浙江大学、广电计量检测集团股份有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、东风汽车集团有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司、北京智慧能源研究院、湖北九峰山实验室、深圳平湖实验室、安徽长飞先进半导体股份有限公司、浙江大学绍兴研究院、西安交通大学、中国电力科学研究院有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、上海维安电子股份有限公司,上海瞻芯电子科技股份有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、厦门华联半导体科技有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人:毛赛君,杨书豪、陈媛、侯欣蓝、罗润鼎,陆月明、王珩宇,李汝冠,谢峰、陈志玉、孙相超、李钾、王民、孙博韬、陈中圆、王丹丹、周紫薇、刘红超、郭清、林氦、王来利、张雷、王阳、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、段果、李本亮、高伟。


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