碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅偏试验方法 |
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| 标准编号：T/CASAS 042-2024 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：31.0 元 |
客户评分：  |
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本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅偏试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。
本文件适用范围：SiC MOSFET分立功率器件，功率模块。 |
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| 英文名称： |
High temperature gate bias test method for silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET) |
 中标分类： |
>>电子元器件与信息技术>>L40/49半导体分立器件 |
| ICS分类： |
电子学>>31.080半导体器件 |
| 发布部门： |
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 发布日期： |
2024-11-19 |
| 实施日期： |
2024-11-19
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| 提出单位： |
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 归口单位： |
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 起草单位： |
忱芯科技(上海)公司、工业和信息化部电子第五研究所、复旦大学、杭州芯迈半导体技术有限公司、浙江大学、广电计量检测集团股份有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、清纯半导体（宁波）有限公司、东风汽车集团有限公司、怀柔实验室等 |
| 起草人： |
毛赛君、杨书豪、陈媛、罗涛、陆月明、王珩宇、李汝冠、谢峰、林翰东、李双媛、孙博韬、李钾、王民、陈中圆、王丹丹、周紫薇、刘红超、郭清、林氦、杨奉涛、张雷、唐虎、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、乔良、段果、李本亮、高伟 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
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本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟提出并归口。
本文件起草单位:忱芯科技(上海)公司、工业和信息化部电子第五研究所、复旦大学、杭州芯迈半导体技术有限公司、浙江大学、广电计量检测集团股份有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司,东风汽车集团有限公司、北京智慧能源研究院、湖北九峰山实验室、深圳平湖实验室、安徽长飞先进半导体股份有限公司、浙江大学绍兴研究院、西安交通大学、中国电力科学研究院有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、上海维安电子股份有限公司、上海瞻芯电子科技股份有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、东芜南方半导体科技有限公司、厦门华联半导体科技有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
本文件主要起草人:毛赛君、杨书豪、陈媛、罗涛、陆月明、王珩宇、李汝冠、谢峰、林翰东、李双媛、孙博韬、李钾、王民、陈中圆、王丹丹、周紫薇、刘红超、郭清、林氦、杨奉涛、张雷、唐虎、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、乔良、段果、李本亮、高伟。 |
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