碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法 |
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| 标准编号：T/CASAS 037-2024 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：38.0 元 |
客户评分：  |
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本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的栅极电荷测试方法，包括：测试原理、测试电路、测试条件以及数据处理方法。
本文件仅适用于增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件特性表征及可靠性测试等工作场景，可用于以下测试目标器件：
a）增强型N沟道垂直SiC MOSFET分立器件晶圆级及封装级产品；
b）含增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件的功率模块。 |
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| 英文名称： |
Gate charge test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors（SiC MOSFET） |
 ICS分类： |
电子学>>31.080半导体器件 |
| 发布部门： |
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 发布日期： |
2024-11-19 |
| 实施日期： |
2024-11-19
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| 提出单位： |
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 归口单位： |
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 起草单位： |
东南大学、工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、清纯半导体（宁波）有限公司、浙江大学、西安交通大学、智新半导体有限公司、苏州汇川联合动力系统股份有限公司、是德科技（中国）有限公司等 |
| 起草人： |
魏家行、曹钧厚、刘斯扬、孙伟锋、陈媛、毛赛君、刘惠鹏、孙博韬、王珩宇、王来利、王民、张太之、孙承志、丛茂杰、宋鑫宇、宋瑞超、孙钦华、刘海军、张雷、李钾、麦志洪、王晓萍、周紫薇、李梦亚、段果、李本亮、高伟 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
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本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟提出并归口。
本文件起草单位:东南大学、工业和信息化部电子第五研究所、忧芯科技(上海)有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司、浙江大学、西安交通大学、智新半导体有限公司、苏州汇川联合动力系统股份有限公司、是德科技(中国)有限公司、芯联集成电路制造股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、杭州芯迈半导体技术有限公司、中国电力科学研究院有限公司、东风汽车集团有限公司、湖北九峰山实验室、深圳平湖实验室、江苏第三代半导体研究院有限公司、厦门华联半导体科技有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
本文件主要起草人:魏家行、曹钧厚、刘斯扬、孙伟锋、陈媛、毛赛君、刘惠鹏、孙博韬、王珩宇、王来利、王民、张太之、孙承志、丛茂杰、宋鑫宇、宋瑞超、孙钦华、刘海军、张雷、李钾、麦志洪、王晓萍、周紫薇、李梦亚、段果、李本亮、高伟。 |
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