基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法 |
 |
| 标准编号：DB13/T 5696-2023 |
标准状态：已废止 |
|
| 标准价格：0.0 元 |
客户评分：  |
|
|
立即购买工即可享受本标准状态变更提醒服务！ |
|
|
|
|
|
本文件规定了基于高温反偏试验的GaN HEMT射频功率器件缺陷快速筛选的筛选原理、筛选条件、筛选系统构成和要求、筛选方法和判据。
本文件适用于工业级GaN HEMT射频功率器件的快速筛选,GaN HEMT射频功率模块可参照使用。 |
|
|
|
| 标准状态： |
已废止 |
 替代情况： |
公告：河北省市场监管局关于废止721项河北省地方标准的公告 2025年第27号 |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合 |
| ICS分类： |
电子学>>31.080半导体器件 |
| 发布部门： |
河北省市场监督管理局 |
| 发布日期： |
2023-05-06 |
| 实施日期： |
2023-06-06
|
| 作废日期： |
2025-10-08
|
| 提出单位： |
石家庄市市场监督管理局 |
| 起草单位： |
河北博威集成电路有限公司 |
| 起草人： |
郭跃伟、王鹏、张博、王静辉、闫志峰、郝永利、王景亮、刘子浩 |
|
|
|
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本文件由石家庄市市场监督管理局提出。
本文件起草单位:河北博威集成电路有限公司。
本文件主要起草人:郭跃伟、王鹏、张博、王静辉、闫志峰、郝永利、王景亮、刘子浩。
本文件为首次发布。 |
|
|
|
| |