| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| SJ 54409/4-2005 |
CY-YZ-005系列高温表压传感器详细规范 |
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2005-12-01 |
现行 |
| SJ 54409/5-2005 |
CY-YZ-006系列高温差压传感器详细规范 |
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2005-12-01 |
现行 |
| SJ 54409/6-2005 |
CY-YZ-007系列高温绝压传感器详细规范 |
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2005-12-01 |
现行 |
| SJ 54409/7-2005 |
CY-YZ-008系列常温表压传感器详细规范 |
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2005-12-01 |
现行 |
| SJ/Z 9110-1987 |
设备可靠性试验 第４部分：设备可靠性测定试验中确定点估计与置信限的程序 |
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1987-11-27 |
废止 |
| SJ/T 958-2000 |
电子束管电子光学系统电极命名方法 |
信息产业部
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2001-03-01 |
现行 |
| SJ/T 959-2000 |
电子束管电极接线图图形符号 |
信息产业部
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2001-03-01 |
现行 |
| SJ/T 960-2000 |
电子束管侧引出线取向图示法 |
信息产业部
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2001-03-01 |
现行 |
| SN/T 2003.1-2005 |
电子电气产品中铅、汞、镉、铬、溴的测定 第1部分:X射线荧光光谱定性筛选法 |
国家质量监督检验检疫.
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2006-01-18 |
废止 |
| SN/T 2003.2-2006 |
电子电气产品中多溴联苯和多溴二苯醚的测定 第2部分：红外光谱定性筛选法 |
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2006-11-15 |
现行 |
| SN/T 2003.3-2006 |
电子电气产品中铅、汞、镉、铬和溴的测定 第3部分：X光射线荧光定量筛选法 |
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2006-11-15 |
废止 |
| SN/T 2004.1-2005 |
电子电气产品中汞的测定 第1部分:原子荧光光谱法 |
国家质量监督检验检疫.
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2006-01-18 |
废止 |
| SN/T 2004.2-2005 |
电子电气产品中铅、镉、铬的测定 第2部分:火焰原子吸收光谱法 |
国家质量监督检验检疫.
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2006-01-18 |
废止 |
| SN/T 2004.3-2005 |
电子电气产品中六价铬的测定 第3部分:二苯碳酰二肼分光光度法 |
国家质量监督检验检疫.
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2006-01-18 |
废止 |
| SN/T 2004.4-2006 |
电子电气产品中铅、镉、铬、汞的测定 笫4部分：电感耦合等离子体原子发射光谱法 |
国家质量监督检验检疫.
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2006-11-15 |
现行 |
| SN/T 2004.6-2006 |
电子电气产品中汞的测定 第6部分:冷原子吸收法 |
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2007-03-01 |
废止 |
| SN/T 2004.7-2006 |
电子电气产品中铅、镉的测定 第7部分:原子荧光光谱法 |
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2007-03-01 |
现行 |
| SN/T 2005.1-2005 |
电子电气产品中多溴联苯和多溴联苯醚的测定 第1部分：高效液相色谱法 |
国家质量监督检验检疫.
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2006-01-18 |
废止 |
| SN/T 2005.2-2005 |
电子电气产品中多溴联苯和多溴联苯醚的测定第部分：气相色谱质谱法 |
国家质量监督检验检疫.
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2006-01-18 |
废止 |
| SN/T 2005.3-2006 |
电子电气产品中多溴联苯和多溴二苯醚的测定 第3部分：气象色谱-氢火焰离子化检测器 |
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2006-11-15 |
废止 |
| SN/T 2005.5-2006 |
电子电气产品中多溴联苯和多溴二苯醚的测定 第5部分:高效液相色谱-串联质谱法 |
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2007-03-01 |
现行 |
| SN/T 5297-2021 |
电子电气产品聚合物材料中六溴环十二烷的测定 裂解-气相色谱-质谱定性筛选法 |
海关总署
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2022-01-01 |
现行 |
| SN/T 5492-2023 |
电子电气产品聚合物材料中多溴联苯、多溴二苯醚的测定 裂解-气相色谱-质谱定性筛选法 |
海关总署
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2023-12-01 |
现行 |
| SN/T 5688-2024 |
聚酰胺种类的鉴定 热裂解气相色谱-质谱法 |
海关总署
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2025-07-01 |
现行 |
| T/CASAS 021-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFE阈值电压测试方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 033-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 037-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 042-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅偏试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 043-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 044-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高压高温高湿反偏试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 045-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 046-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 047-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CEC 155-2018 |
柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）器件的一般要求 |
中国电力企业联合会
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2018-04-01 |
现行 |
| T/CEMIA 006-2018 |
膜厚监控用石英晶振片 |
中国电子材料行业协会
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2019-03-14 |
现行 |
| T/CEMIA 019-2019 |
显示面板用稀释液 |
中国电子材料行业协会
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2019-11-01 |
现行 |
| T/CEMIA 020-2019 |
显示面板用N-甲基-2-吡咯烷酮 |
中国电子材料行业协会
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2019-11-01 |
现行 |
| T/CEMIA 021-2019 |
厚膜集成电路用电阻浆料规范 |
中国电子材料行业协会
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2019-12-25 |
现行 |
| T/CEMIA 022-2019 |
多层布线用金导体浆料规范 |
中国电子材料行业协会
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2019-12-25 |
现行 |
| T/CEMIA 026-2021 |
湿电子化学品技术成熟度等级划分及定义 |
中国电子材料行业协会
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2022-03-25 |
现行 |