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| 英文名称： |
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance |
| 标准状态： |
已作废 |
 替代情况： |
被GB/T 14847-2010代替 |
| 中标分类： |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： |
29.040.30 |
| UDC分类： |
669.782;535.39-15 |
| 采标情况： |
ASTM F95-1989,EQV |
| 发布部门： |
国家技术监督局 |
| 发布日期： |
1993-01-02 |
| 实施日期： |
1994-09-01
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| 作废日期： |
2011-10-01
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| 首发日期： |
1993-12-30 |
| 复审日期： |
2004-10-14 |
| 归口单位： |
全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 主管部门： |
国家标准化管理委员会 |
| 起草单位： |
机电部四十六所 |
| 页数： |
平装16开， 页数：8， 字数：12千字 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 标准前页： |
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