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碳化硅晶体材料缺陷图谱

国家标准
标准编号:GB/T 43612-2023 标准状态:现行
标准价格:104.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本文件规定了导电型4H碳化硅(4H-SiC)晶体材料缺陷的形貌特征,产生原因和缺陷图谱。
本文件适用于半导体行业碳化硅(晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。
英文名称:  Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电气工程>>29.045半导体材料
发布部门:  国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:  2023-12-28
实施日期:  2024-07-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位:  广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司等
起草人:  丁雄杰、刘薇、韩景瑞、贺东江、李素青、丁晓民、张红、李焕婷、张红岩、杨昆、李斌、尹浩田、高伟、路亚娟、佘宗静、王阳、钮应喜、晏阳、姚康、金向军、吴殿瑞、李国鹏、张新峰、赵丽丽、张胜涛、夏秋良、李国平
页数:  52页【彩图】
出版社:  中国标准出版社
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半金属与半导体材料综合相关标准 第1页 
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 GB/T 14139-2009 硅外延片
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 GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
 GB/T 14264-1993 半导体材料术语
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 GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
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半导体材料相关标准 第1页 第2页 
 GB/T 11072-2009  锑化铟多晶、单晶及切割片
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 GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片
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 GB/T 12962-2015 硅单晶
 GB/T 12963-1996 硅多晶
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