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英文名称: |
Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials |
中标分类: |
冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 |
ICS分类: |
电气工程>>29.045半导体材料 |
发布部门: |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
发布日期: |
2023-12-28 |
实施日期: |
2024-07-01
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提出单位: |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
归口单位: |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
起草单位: |
广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司等 |
起草人: |
丁雄杰、刘薇、韩景瑞、贺东江、李素青、丁晓民、张红、李焕婷、张红岩、杨昆、李斌、尹浩田、高伟、路亚娟、佘宗静、王阳、钮应喜、晏阳、姚康、金向军、吴殿瑞、李国鹏、张新峰、赵丽丽、张胜涛、夏秋良、李国平 |
页数: |
52页【彩图】 |
出版社: |
中国标准出版社 |