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| 英文名称： |
Silicon epitaxial wafers with buried layers |
| 标准状态： |
即将实施 |
 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2024-08-23 |
| 实施日期： |
2025-03-01
即将实施 距离实施日期还有115天 |
| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： |
南京国盛电子有限公司、西安龙威半导体有限公司、上海晶盟硅材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 起草人： |
仇光寅、王银海、谢进、骆红、贺东江、马林宝、顾广安、李慎重、李春阳、徐西昌、徐新华、袁夫通、刘小青、米姣、周益初、张强 |
| 页数： |
16页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |