碳化硅单晶材料电学参数测试方法 |
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| 标准编号：SJ 20858-2002 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：12.0 元 |
客户评分：  |
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本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃～700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。 |
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| 英文名称： |
Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material |
 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料 |
| 发布日期： |
2002-12-12 |
| 实施日期： |
2003-05-01
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| 起草单位： |
中国电子科技集团公司第四十六所 |
| 页数： |
9页 |
| 出版社： |
工业电子出版社 |
| 出版日期： |
2004-04-19 |
| 标准前页： |
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