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英文名称: |
Measurement method of radiation induced traps by deep level transient spectroscopy |
中标分类: |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合 |
ICS分类: |
电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合 |
发布部门: |
中国电子学会 |
发布日期: |
2022-12-31 |
实施日期: |
2023-01-31
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提出单位: |
中国电子学会可靠性分会 |
归口单位: |
中国电子学会可靠性分会 |
起草单位: |
工业和信息化部电子第五研究所、哈尔滨工业大学 |
起草人: |
彭超、雷志锋、何玉娟、张战刚、肖庆中、来萍、黄云、李兴冀、杨剑群、徐晓东 |
页数: |
16页 |
出版社: |
中国标准出版社 |
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