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辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法

国家标准
标准编号:T/CIE 145-2022 标准状态:现行
标准价格:31.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱(DLTS)测试辐射诱生缺陷的方法和程序。
本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。
英文名称:  Measurement method of radiation induced traps by deep level transient spectroscopy
什么是中标分类? 中标分类:  电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合
发布部门:  中国电子学会
发布日期:  2022-12-31
实施日期:  2023-01-31
提出单位:  中国电子学会可靠性分会
什么是归口单位? 归口单位:  中国电子学会可靠性分会
起草单位:  工业和信息化部电子第五研究所、哈尔滨工业大学
起草人:  彭超、雷志锋、何玉娟、张战刚、肖庆中、来萍、黄云、李兴冀、杨剑群、徐晓东
页数:  16页
出版社:  中国标准出版社
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