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| 英文名称： |
Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer |
 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布日期： |
2018-12-28 |
| 实施日期： |
2019-04-01
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| 提出单位： |
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) |
| 主管部门： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) |
| 起草单位： |
英利集团有限公司、中国电子技术标准化研究院、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、泰州中来光电科技有限公司、晋能清洁能源科技有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、天津英利新能源有限公司 |
| 起草人： |
李锋、李英叶、段青春、张伟、吴翠姑、冯亚彬、裴会川、程小娟、唐骏 |
| 页数： |
12页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2019-01-01 |