半导体分立器件 2DW14-18型低噪声硅电压基准二极管详细规范 |
 |
标准编号:SJ 50033/151-2002 |
标准状态:现行 |
|
标准价格:15.0 元 |
客户评分:     |
|
立即购买工即可享受本标准状态变更提醒服务! |
|
|
|
|
|
本规范规定了2DW14~18型低噪声硅电压基准二级管的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。 |
|
|
|
英文名称: |
Semiconductor discrete device Detail specification for low-noise silicon voltage-regulator diodes for types 2DW14~18 |
中标分类: |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L41半导体二极管 |
发布部门: |
中华人民共和国信息产业部 |
发布日期: |
2002-10-30 |
实施日期: |
2003-03-01
|
提出单位: |
中华人民共和国信息产业部 |
归口单位: |
信息产业部电子第四研究所 |
起草单位: |
国营第八七三厂 |
起草人: |
邹盛林、万宁 |
页数: |
11页 |
出版社: |
工业电子出版社 |
出版日期: |
2003-03-01 |
标准前页: |
|
|
|
|
|
|