太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法 |
|
标准编号:GB/T 30860-2014 |
标准状态:现行 |
|
标准价格:31.0 元 |
客户评分: |
|
立即购买工即可享受本标准状态变更提醒服务! |
|
|
|
|
|
本标准规定了太阳能电池用硅片(以下简称硅片)的表面粗糙度及切割线痕的接触式或非接触式轮廓测试方法。
本标准适用于通过线切工艺加工生产的单晶和多晶硅片。如果需要适用于其他产品,则需相关各方协商同意。 |
|
|
|
英文名称: |
Test methods for surface roughness and saw mark of silicon wafers for solar cells |
中标分类: |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
ICS分类: |
冶金>>77.040金属材料试验 |
发布部门: |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
发布日期: |
2014-07-24 |
实施日期: |
2015-04-01
|
提出单位: |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2) |
归口单位: |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2) |
起草单位: |
中国有色金属工业标准计量质量研究所、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、有研半导体材料股份有限公司、特变电工新疆新能源股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、连云港国家硅材料深加工产品质量监督检验中心 |
起草人: |
徐自亮、任皓、陈佳洵、李锐、孙燕、熊金杰、杨素心、蒋建国、王丽华、薛抗美、黄黎 |
页数: |
16页 |
出版社: |
中国标准出版社 |
出版日期: |
2015-04-01 |
|
|
|
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国有色金属工业标准计量质量研究所、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、有研半导体材料股份有限公司、特变电工新疆新能源股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、连云港国家硅材料深加工产品质量监督检验中心。
本标准主要起草人:徐自亮、任皓、陈佳洵、李锐、孙燕、熊金杰、杨素心、蒋建国、王丽华、薛抗美、黄黎。 |
|
|
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1031 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 表面粗糙度参数及其数值
GB/T3505 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 术语、定义及表面结构参数
GB/T10610 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 评定表面结构的规则和方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T18777 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 相位修正滤波器的计量特性
GB/T26071 太阳能电池用硅单晶切割片
GB/Z26958(所有部分) 产品几何技术规范(GPS)滤波
GB/T29055 太阳电池用多晶硅片
GB/T29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T30859 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法 |
|
|
|
|