硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 |
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| 标准编号：GB/T 14141-1993 |
标准状态：已作废 |
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| 标准价格：8.0 元 |
客户评分：  |
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本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2~3μm的薄层，测量范围为250~5000Ω；对于厚度不小于3μm的薄层，薄层电阻的测量下限可达10Ω。 |
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| 英文名称： |
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array |
| 标准状态： |
已作废 |
 替代情况： |
被GB/T 14141-2009代替 |
| 中标分类： |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： |
29.040.30 |
| UDC分类： |
669.782 |
| 采标情况： |
ASTM F374-1984,EQV |
| 发布部门： |
国家技术监督局 |
| 发布日期： |
1993-02-06 |
| 实施日期： |
1993-10-01
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| 作废日期： |
2010-06-01
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| 首发日期： |
1993-02-06 |
| 复审日期： |
2004-10-14 |
| 归口单位： |
全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 主管部门： |
国家标准化管理委员会 |
| 起草单位： |
峨眉半导体材料研究所 |
| 页数： |
平装16开， 页数：6， 字数：9千字 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 标准前页： |
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