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碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法

国家标准
标准编号:GB/T 42902-2023 标准状态:现行
标准价格:36.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。
本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。
英文名称:  Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
什么是ICS分类?  ICS分类:  冶金>>77.040金属材料试验
发布部门:  国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:  2023-08-06
实施日期:  2024-03-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2)
起草单位:  安徽长飞先进半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所
起草人:  钮应喜、袁松、张会娟、刘敏、仇光寅、李京波、彭铁坤、袁肇耿、杨龙、闫果果
页数:  16页【彩图】
出版社:  中国标准出版社
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