离子束蚀刻机通用规范 |
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| 标准编号：GB/T 15861-2012 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：31.0 元 |
客户评分：  |
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本标准规定了离子束蚀刻机的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输、贮存。
本 标准适用于物理溅射腐蚀作用的通用离子束蚀刻机。其他专用离子束蚀刻机亦可参照执行。 |
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| 英文名称： |
General specification of ion beam etching system |
 替代情况： |
替代GB/T 15861-1995 |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>电子工业生产设备>>L97加工专用设备 |
| ICS分类： |
31-550 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2012-11-05 |
| 实施日期： |
2013-02-15
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| 首发日期： |
1995-12-22 |
| 提出单位： |
中华人民共和国工业和信息化部 |
| 归口单位： |
中国电子技术标准化研究所 |
| 主管部门： |
中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： |
中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 起草人： |
陈特超、周大良 |
| 页数： |
16页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2013-02-15 |
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本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T15861—1995《离子束蚀刻机通用技术条件》。
本标准与GB/T15861—1995相比主要变化如下:
———GBn193—1983由GB/T13384—1992代替,SJ2573—1985由SJ/T10674—1995代替;
———环境温度调整为20℃±10℃[见5.1a)];
———束能量范围调整为0~2000eV,可调(见5.4.1);
———表1中束流密度0.5mA/cm2 调整为≥0.3mA/cm2,1mA/cm2 调整为0.8mA/cm2(见表1);
增加束能量为2000eV 时束流密度≥1mA/cm2(见表1);
———有效束径规格增加了.50和.100两种,去掉了.60(见5.4.4);
———中和方式增加了“电子源中和器”(见5.4);
———对束流密度检测方法进行了更清楚的表述(见6.4.2);
———“膜厚均匀性为±5%的蚀刻样片”改为“膜厚均匀性优于±2%、厚度2μm、制备了掩膜图案的蚀刻样片”(见6.4.10);
———检验规则去掉例行检验项(见7);
———增加包装前检查的条款(见8.2.1)。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由中国电子技术标准化研究所归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十八研究所。
本标准主要起草人:陈特超、周大良。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T15861—1995。 |
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下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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