硅多晶 |
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| 标准编号：GB/T 12963-2009 |
标准状态：已作废 |
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| 标准价格：20.0 元 |
客户评分：  |
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本标准有现货可当天发货一线城市最快隔天可到！ |
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本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、运输、贮存。
本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。 |
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| 英文名称： |
Specification for polycrystalline silicon |
| 标准状态： |
已作废 |
 替代情况： |
GB/T 12963-1996;被GB/T 12963-2014代替 |
| 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 采标情况： |
MOD SEMI M16-1103:2003 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2009-10-30 |
| 实施日期： |
2010-06-01
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| 作废日期： |
2015-09-01
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| 首发日期： |
1991-06-04 |
| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 主管部门： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： |
峨眉半导体材料厂 |
| 起草人： |
罗莉萍、张辉坚、王炎 |
| 计划单号： |
20061662-T-469 |
| 页数： |
8页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2010-06-01 |
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本标准修改采用SEMIM161103:2003《多晶硅规范》,主要差异如下:
---增加了技术参数,如对基磷、基硼电阻率、碳浓度和n型少子寿命的等级要求;
---增加了硅多晶尺寸范围要求。
本标准代替GB/T12963-1996《硅多晶》。
本标准与GB/T12963-1996相比,主要有如下变动:
---基磷电阻率等级由300Ω·cm、200Ω·cm、100Ω·cm 修订为500Ω·cm、300Ω·cm、200Ω·cm;
---增加氧化夹层术语。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨眉半导体材料厂。
本标准主要起草人:罗莉萍、张辉坚、王炎。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T12963-1991、GB/T12963-1996。 |
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下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1553 硅703505 0 -和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 |
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