工标网 回首页
标准分类  最新标准New!  标准公告 标准动态  标准论坛
 高级查询
帮助 | 登录 | 注册
查标准上工标网 免费查询标准最新替代作废信息
 您的位置:工标网 >> 国家标准(GB) >> GB/T 13389-2014

掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

国家标准
标准编号:GB/T 13389-2014 标准状态:现行
标准价格:54.0 客户评分:星星星星1
立即购买工即可享受本标准状态变更提醒服务!
点击放入购物车 如何购买?问客服 放入收藏夹,免费跟踪本标准更替信息! 参与评论本标准
标准简介
  本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
  
本标准适用于掺硼浓度1014 cm-3~1×1020cm-3,掺磷浓度3×1013 cm-3~1×1020 cm-3,掺砷浓度1019 cm-3~6×1020cm-3。对掺硼、掺磷的硅单晶掺杂剂浓度可扩展到1012cm-3。
本标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算,但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算,或任何其他载流子浓度的换算。
英文名称:  Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon
什么是替代情况? 替代情况:  替代GB/T 13389-1992
什么是中标分类? 中标分类:  >>>>
 >>>>80
什么是ICS分类?  ICS分类:  电气工程>>29.045半导体材料
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2014-12-31
实施日期:  2015-09-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)
起草单位:  有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司
起草人:  孙燕、梁洪、高英、楼春兰、张静、王飞尧、曹孜、何良恩、张海英、张群社
页数:  32页
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2015-09-01
  [ 评论 ][ 关闭 ]
前言
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替 GB/T13389—1992《掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂 浓 度 换 算 规 程》,参 照 SEMIMF723-0307《掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》对 GB/T13389—1992进行修订。
本标准与 GB/T13389—1992相比,主要有以下变化:
———增加了公式(5)、(6)、(7),即砷的掺杂剂浓度换算电阻率、掺硼硅单晶电阻率换算空穴浓度和掺磷硅单晶电阻率换算电子浓度的公式以及相应的适用范围;
———由于所有公式都是经验公式或是试验结果,因此本标准中给出了公式的试验依据以便于使用者更好地了解和使用这些换算规程;
———增加干扰因素(见第6章);
———增加了附录和参考文献。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司。
本标准主要起草人:孙燕、梁洪、高英、楼春兰、张静、王飞尧、曹孜、何良恩、张海英、张群社。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T13389—1992。
引用标准
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注明日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T14264 半导体材料术语

相关标准 第1页 
 YS/T 986-2014 晶片正面系列字母数字标志规范
 免费下载标准相关目录

半导体材料相关标准 第1页 第2页 
 GB/T 14139-2019 硅外延片
 GB/T 14140-2009  硅片直径测量方法
 GB/T 14141-2009  硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
 GB/T 14144-2009  硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
 GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
 GB/T 14264-2009 半导体材料术语
 GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法
 GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
 GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
 GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
 免费下载半导体材料标准相关目录

 发表留言
内 容
  用户:   口令:  
 
 
客服中心
有问题?找在线客服 点击和客服交流,我们的在线时间是:工作日8:30至18:00,节假日;9:00至17:00。工标网欢迎您和我们联系!
未开通400地区或小灵通请直接拨打0898-3137 2222 400-7255-888
客服QQ 1197428036 992023608
MSN或电子邮件 18976748618 13876321121
温馨提示:标准更新替换较快,请注意您购买的标准时效性。
常见问题 帮助中心
我为什么找不到我想要的标准?
配送范围、配送时间和收费标准
如何付款,支持哪些付款方式?
必备软件下载
Adobe Acrobat Reader 是一个查看、 阅读和打印PDF文件的最佳工具,通 过它可以查阅本站的标准文档
pdf下载
搜索更多
google 中搜索:GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
baidu 中搜索:GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
yahoo 中搜索:GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
soso 中搜索:GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
中搜索:GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
 
付款方式 - 关于我们 - 帮助中心 - 联系我们 - 诚聘英才 - 合作伙伴 - 使用条款
QQ:1197428036 992023608 有问题? 联系在线客服
Copyright © 工标网 2005-2023,All Right Reserved