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 您的位置:工标网 >> 标准分类 >> 中标分类 >> M通信、广播 >> M00/09 通信、广播综合 >> M01技术管理
标准编号 标准名称 发布部门 实施日期 状态
 SJ 2031-1982  MG24型密封硫化镉光敏电阻器 1982-09-01 废止
 SJ 2214.1-1982  半导体光敏管测试方法总则 1983-07-01 作废
 SJ 2214.10-1982  半导体光敏二、三极管光电流的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2214.2-1982  半导体光敏二极管正向压降的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2214.3-1982  半导体光敏二极管暗电流的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2214.4-1982  半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2214.5-1982  半导体光敏二极管结电容的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2214.6-1982  半导体光敏三极管集电极-发射极反向击穿电压的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2214.7-1982  半导体光敏三极管饱和压降的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2214.8-1982  半导体光敏三极管暗电流的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2214.9-1982  半导体光敏二、三极管脉冲上升、下降时间的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2215.1-1982  半导体光耦合器测试方法总则 1983-07-01 作废
 SJ 2215.10-1982  半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2215.11-1982  半导体光耦合器脉冲上升、下降、延迟、贮存时间的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2215.12-1982  半导体光耦合器入出间隔离电容的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2215.13-1982  半导体光耦合器入出间绝缘电阻的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2215.14-1982  半导体光耦合器入出间绝缘电压的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2215.2-1982  半导体光耦合器(二极管)正向压降的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2215.3-1982  半导体光耦合器(二极管)正向电流的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2215.4-1982  半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2215.5-1982  半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2215.6-1982  半导体光耦合器(二极管)结电容的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2215.7-1982  半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2215.8-1982  半导体光耦合器输出饱和压降的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2215.9-1982  半导体光耦合器(三极管)反向截止电流的测试方法 1983-07-01 作废
 SJ 2216-1982  硅光敏二极管 1983-07-01 作废
 SJ 2217-1982  硅光敏三极管 1983-07-01 作废
 SJ 2218-1982  半导体光敏二极管型光耦合器 1983-07-01 废止
 SJ 2219-1982  半导体光敏三极管型光耦合器 1983-07-01 废止
 SJ 2220-1982  半导体达林顿型光耦合器 1983-07-01 废止
 SJ 2307-1983  防雷型氧化锌压敏电阻器总技术条件 1983-10-01 作废
 SJ/T 2307.1-1997  电子器件详细规范 浪涌抑制型压敏电阻器 MYL1型防雷用氧化锌压敏电阻器 评定水平E 电子工业部 1998-01-01 作废
 SJ 2309-1983  消噪型氧化锌压敏电阻器总技术条件 1983-10-01 废止
 SJ 2309.1-1983  MYZ1型消噪用氧化锌压敏电阻器 1983-10-01 废止
 SJ 3177-1988  MZ72型直热式突变型消磁用正温度系数热敏电阻器详细规范 评定水平E 1988-10-01 废止
 SJ 50033.51-1994  半导体分立器件 CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范 电子工业部 1994-12-01 现行
 SJ 50033.52-1994  半导体分立器件 CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 电子工业部 1994-12-01 现行
 SJ 50033.53-1994  半导体分立器件 CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 电子工业部 1994-12-01 现行
 SJ 50033.54-1994  半导体分立器件 CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 电子工业部 1994-12-01 现行
 SJ 50033.55-1994  半导体分立器件 2CK82型硅开关二极管详细规范 电子工业部 1994-12-01 现行
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