标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
SJ 2031-1982 |
MG24型密封硫化镉光敏电阻器 |
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1982-09-01 |
废止 |
SJ 2214.1-1982 |
半导体光敏管测试方法总则 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2214.10-1982 |
半导体光敏二、三极管光电流的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2214.2-1982 |
半导体光敏二极管正向压降的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2214.3-1982 |
半导体光敏二极管暗电流的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2214.4-1982 |
半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2214.5-1982 |
半导体光敏二极管结电容的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2214.6-1982 |
半导体光敏三极管集电极-发射极反向击穿电压的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2214.7-1982 |
半导体光敏三极管饱和压降的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2214.8-1982 |
半导体光敏三极管暗电流的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2214.9-1982 |
半导体光敏二、三极管脉冲上升、下降时间的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2215.1-1982 |
半导体光耦合器测试方法总则 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2215.10-1982 |
半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2215.11-1982 |
半导体光耦合器脉冲上升、下降、延迟、贮存时间的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2215.12-1982 |
半导体光耦合器入出间隔离电容的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2215.13-1982 |
半导体光耦合器入出间绝缘电阻的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2215.14-1982 |
半导体光耦合器入出间绝缘电压的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2215.2-1982 |
半导体光耦合器(二极管)正向压降的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2215.3-1982 |
半导体光耦合器(二极管)正向电流的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2215.4-1982 |
半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2215.5-1982 |
半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2215.6-1982 |
半导体光耦合器(二极管)结电容的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2215.7-1982 |
半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2215.8-1982 |
半导体光耦合器输出饱和压降的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2215.9-1982 |
半导体光耦合器(三极管)反向截止电流的测试方法 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2216-1982 |
硅光敏二极管 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2217-1982 |
硅光敏三极管 |
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1983-07-01 |
作废 |
SJ 2218-1982 |
半导体光敏二极管型光耦合器 |
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1983-07-01 |
废止 |
SJ 2219-1982 |
半导体光敏三极管型光耦合器 |
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1983-07-01 |
废止 |
SJ 2220-1982 |
半导体达林顿型光耦合器 |
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1983-07-01 |
废止 |
SJ 2307-1983 |
防雷型氧化锌压敏电阻器总技术条件 |
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1983-10-01 |
作废 |
SJ/T 2307.1-1997 |
电子器件详细规范 浪涌抑制型压敏电阻器 MYL1型防雷用氧化锌压敏电阻器 评定水平E |
电子工业部
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1998-01-01 |
作废 |
SJ 2309-1983 |
消噪型氧化锌压敏电阻器总技术条件 |
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1983-10-01 |
废止 |
SJ 2309.1-1983 |
MYZ1型消噪用氧化锌压敏电阻器 |
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1983-10-01 |
废止 |
SJ 3177-1988 |
MZ72型直热式突变型消磁用正温度系数热敏电阻器详细规范 评定水平E |
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1988-10-01 |
废止 |
SJ 50033.51-1994 |
半导体分立器件 CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范 |
电子工业部
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1994-12-01 |
现行 |
SJ 50033.52-1994 |
半导体分立器件 CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 |
电子工业部
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1994-12-01 |
现行 |
SJ 50033.53-1994 |
半导体分立器件 CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 |
电子工业部
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1994-12-01 |
现行 |
SJ 50033.54-1994 |
半导体分立器件 CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 |
电子工业部
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1994-12-01 |
现行 |
SJ 50033.55-1994 |
半导体分立器件 2CK82型硅开关二极管详细规范 |
电子工业部
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1994-12-01 |
现行 |