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T/CASAS 047-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法
(现行)
中标分类:
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ICS 分类:
电子学
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31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法,用于评估高温高湿高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。 本文件适用于单管级和模块级SiC MOSFET。
标准定价: ¥
31.0
元
T/CASAS 037-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)栅极电荷测试方法
(现行)
中标分类:
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ICS 分类:
电子学
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31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的栅极电荷测试方法,包括:测试原理、测试电路、测试条件以及数据处理方法。 本文件仅适用于增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件特性表征及可靠性测试等工作场景,可用于以下测试目标 ...
标准定价: ¥
38.0
元
T/CASAS 042-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)高温栅偏试验方法
(现行)
中标分类:
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电子元器件与信息技术
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L40/49半导体分立器件
ICS 分类:
电子学
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31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)高温栅偏试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。 本文件适用范围:SiC MOSFET分立功率器件,功率模块。
标准定价: ¥
31.0
元
T/CASAS 046-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态反偏(DRB)试验方法
(现行)
中标分类:
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电子元器件与信息技术
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L40/49半导体分立器件
ICS 分类:
电子学
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31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的动态反偏(DRB)试验方法,用于评估高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。 本文件适用于单管级和模块级SiC MOSFET。
标准定价: ¥
31.0
元
T/CASAS 044-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)高压高温高湿反偏试验方法
(现行)
中标分类:
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电子元器件与信息技术
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L40/49半导体分立器件
ICS 分类:
电子学
>>
31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)高压高温高湿反偏试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。 本文件适用范围:SiC MOSFET分立功率器件,功率模块。
标准定价: ¥
31.0
元
T/CASAS 033-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法
(现行)
中标分类:
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电子元器件与信息技术
>>
L40/49半导体分立器件
ICS 分类:
电子学
>>
31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了双脉冲测试条件下SiC MOSFET功率器件开关动态测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。 本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiC MOSFET功率器件的开关动态测试与评估,对于SiC ...
标准定价: ¥
38.0
元
T/CASAS 045-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态栅偏试验方法
(现行)
中标分类:
>>
电子元器件与信息技术
>>
L40/49半导体分立器件
ICS 分类:
电子学
>>
31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)动态栅偏试验方法,包括:试验条件、测试方法、应用范围以及失效判据。 本文件适用于对SiC MOSFET栅氧质量的评估,主要包括芯片、分立器件、模块。
标准定价: ¥
31.0
元
T/CASAS 043-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高温反偏试验方法
(现行)
中标分类:
>>
电子元器件与信息技术
>>
L40/49半导体分立器件
ICS 分类:
电子学
>>
31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高温反偏试验方法,包括试验装置、失效判定。 本文件适用于对SiC MOSFET功率器件、功率模块的可靠性评估。
标准定价: ¥
31.0
元
T/CAS 815-2024 T/ZGZS 0802-2024 电器电子产品再生塑料使用规范
(现行)
中标分类:
综合
>>
标准化管理与一般规定
>>
A00标准化、质量管理
ICS 分类:
环保、保健与安全
>>
环境保护
>>
13.020.20环境经济
发布日期:2024-01-19 实施日期:2024-01-19
简介: 本文件规定了电器电子产品(以下简称“产品”)中再生塑料使用的基本原则、技术要求、可追溯性要求、标识要求、再生塑料使用率计算方法等要求。 本文件适用于产品生产企业对再生塑料使用以及管理,其他相关方(为产品生产企业提供塑料配件或是提供塑料颗粒的生产企业 ...
标准定价: ¥
31.0
元
T/CAQI 404-2024 气相色谱仪用氢气发生器技术规范
(现行)
中标分类:
>>
>>
ICS 分类:
发布日期:1900-01-01 实施日期:1900-01-01
简介:
标准定价: ¥
29.0
元
T/CAPEC 50-2024 石油和化学工业 海底管道用钢管制造监理技术要求
(现行)
中标分类:
>>
>>
ICS 分类:
发布日期:1900-01-01 实施日期:1900-01-01
简介:
标准定价: ¥
38.0
元
T/CAPID 010-2024 碱性水电解制氢编织网电极技术规范
(现行)
中标分类:
>>
>>
ICS 分类:
化工技术
>>
化工设备
>>
71.120.10反应容器及其组件
发布日期:2024-08-16 实施日期:2024-08-16
简介: 本标准规定了碱性水电解制氢编织网电极的制备工艺、技术要求、检验方法、质量文件和包装、标识、运输与储存规范。
标准定价: ¥
38.0
元
T/CAPID 009-2024 零碳能源证书自愿核证体系 生物天然气核证规范
(现行)
中标分类:
>>
>>
ICS 分类:
能源和热传导工程
>>
27.010能源和热传导工程综合
发布日期:2024-07-22 实施日期:2024-07-22
简介: 本文件规定了对生物天然气项目开展零碳能源证书核证工作的核算范围和边界、核算步骤与方法、数据质量管理、核查程序、核证程序等内容。
标准定价: ¥
43.0
元
T/CAPEC 49-2024 石油和化学工业 石油天然气井口装置和采油树制造监理技术要求石油和化学工业 石油天然气井口装置和采油树制造监理技术要求
(现行)
中标分类:
>>
>>
ICS 分类:
发布日期:1900-01-01 实施日期:1900-01-01
简介:
标准定价: ¥
38.0
元
T/CAOE 81-2024 含水合物沉积物分级加载蠕变试验方法
(现行)
中标分类:
石油
>>
石油、天然气
>>
E24天然气
ICS 分类:
石油及相关技术
>>
75.020石油和天然气的开采与加工
发布日期:2024-12-03 实施日期:2024-12-03
简介: 本文件规定了含水合物沉积物分级加载蠕变试验的一般规定、试验设备、试验步骤、试验记录与数据处理。 本文件适用于人工合成的砂质、泥质含水合物沉积物样品
标准定价: ¥
31.0
元
找到3000条相关标准,共200页
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