| 序号 |
标准名称 |
标准主要内容 |
代替标准 |
采标情况 |
主要起草单位 |
| 1. |
液晶显示器件 第6-1部分：液晶显示器件测试方法 光电参数 |
本部分是液晶显示器件系列标准中的第6-1部分。其技术内容涵盖了液晶显示器件的主要光电技术指标的测量方法，包括亮度、色度、亮度和色度的均匀性、亮度对比度、视角、响应时间、透射率、镜面反射系数、色彩再现性、预热特性、串扰、阈值电压和饱和电压、闪烁、功耗等14个方面的内容。 |
GB/T 4619-1996、GB/T 14116-1993 |
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京东方科技集团股份有限公司 |
| 2. |
液晶显示器件 第1-1部分：术语和符号 |
技术内容涵盖了物理概念、通用术语、关于参数和特性方面的术语大约有140多个术语，40多个符号。 |
GB/T 6250-1986 |
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中国电子技术标准化研究所 |
| 3. |
发射管空白详细规范 |
主要规定了应执行的总规范，规定了数值空白的极限值列项、工作条件、参数特性测量条件和空白的规范值要求，规定了A组、B组、C组的检验规则、试验条件和试验方法的要求，规定了包装、运输和贮存要求及包装检验要求。 |
GB/T 9587-1988、GB/T 6257-1986、GB/T 9431-1988 |
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成都旭光电子股份有限公司 |
| 4. |
气体激光器电源系列 |
规定了连续工作状态的气体激光器电源输出电压和输出电流值的系列、调节范围和允许的波动范围，并给出了输出电压和输出电流之间的允许配伍。 |
GB/T 12083-1989 |
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中国科学院电子学研究所 |
| 5. |
彩色显像管管基尺寸 |
技术内容涵盖了彩色显像管管基的外形图系列、尺寸标注，以及电极接线方式。 |
GB/T 11490-1989 |
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彩虹集团公司 |
| 6. |
彩色显像管有效屏面尺寸 |
技术内容涵盖了4︰3、16︰9的球面、非球面彩色显像管屏面有效径的计算方法和有效面积的计算方法。 |
GB/T 9435-1988 |
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彩虹集团公司 |
| 7. |
阴极射线管机械安全 |
标准阐述了阴极射线管（CRT）的试验方法和规格界限。可以替代GB
8898第18章中所规定的阴极射线管机械安全要求的。目的是发布独立的元器件标准以便整机能够直接引用。本标准包含了对面板附着有作为安全防爆系统组成部分的防爆膜型CRT的要求。 |
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等同采用IEC 61965:2003 |
中国电子技术标准化研究所 |
| 8. |
光阴极光谱响应特性系列 |
技术内容涵盖了光阴极光谱响应特性的命名方法，并给出了典型的光阴极光谱响应特性系列。修订后的标准适用于光敏管、图像管、摄像管等电子管 |
GB/T 5295-1985 |
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南京华东电子集团有限公司 |
| 9. |
黑白显像管空白详细规范 |
本规范中主要规定了应执行的总规范，数值空白的极限值列项、工作条件、参数特性测量条件和空白的规范值要求，提出了鉴定批准程序的要求，规定了A组、B组、C组和D组的检验规则、试验条件和试验方法标准要求，规定了包装、运输和贮存要求。 |
GB/T 6206-1986 |
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安徽华东光电技术研究所 |
| 10. |
工业用X射线管空白详细规范 |
主要规定了应执行的总规范，规定了数值空白的极限值列项、工作条件、参数特性测量条件和空白的规范值要求，以及可选特性，规定了A组、B组、C组和D组的检验项目、试验条件和试验方法标准要求，规定了包装、运输和贮存要求 |
GB/T 13709-1992GB/T 13710-1992 |
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杭州万东电子有限公司 |
| 11. |
透射式电视测试图 |
规定了透射式电视综合测试图、高频特性测试图、余像测试图、棋盘格测试图、区域测试图和灰度测试图的图案规格、尺寸、用途和光学密度等内容。 |
GB/T 6996.1～.14-1986 |
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中国电子科技集团第五十五研究所 |
| 12. |
电子管极间电容测量方法 |
规定了空间电荷控制管、阴极射线管、充气管、真空光电管和微波电子管等各类电子管极间电容的测量原理和步骤，本标准给出了“电桥法”和“分压法”两种测量方法，其中“电桥法”为仲裁测量方法。 |
GB/T 7274-1987 |
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国营七七六厂 |
| 13. |
电子管词汇 |
标准的主要内容涵盖基本术语279个、结构方面的术语113个、产品类型方面的名称术语196个、性能和参数方面的术语536个。 |
GB/T 4597-1996 |
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中国电子技术标准化研究所 |
| 14. |
含碱性或其它非酸性电解质的蓄电池和蓄电池组－方形排气式镉镍单体蓄电池 |
规定了方形排气式镉镍单体蓄电池的标志、型号、外形尺寸、试验和要求。 |
GB/T 15142-2002 |
等同采用 IEC 60623:2001 |
中国电子技术标准化研究所 |
| 15. |
含碱性或其它非酸性电解质的蓄电池和蓄电池组－便携式密封蓄电池和蓄电池组的机械试验 |
规定了检验便携式密封蓄电池和蓄电池组在搬运和正常使用中的机械性能的试验和要求。 |
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等同采用 IEC 61959:2004 |
中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 16. |
含碱性或其它非酸性电解质的蓄电池和蓄电池组型号命名方法 |
规定了含碱性或其它非酸性电解质的蓄电池和蓄电池组的型号命名方法。 |
GB/T 7169-1987 |
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中国电子技术标准化研究所、中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 17. |
含碱性或其它非酸性电解质的蓄电池和蓄电池组－便携式密封蓄电池和蓄电池组的安全性要求 |
规定了在预期的使用和可合理预见的误使用条件下，含碱性或其它非酸性电解质的便携式密封蓄电池和蓄电池组（不含扣式电池）的安全操作的要求和试验。 |
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等同采用 IEC 62133:2002 |
中国电子科技集团公司第十八研究所、中国电子技术标准化研究所 |
| 18. |
含碱性或其它非酸性电解质的蓄电池和蓄电池组－方形密封镉镍单体蓄电池 |
规定了方形密封镉镍单体蓄电池的标志、型号、外形尺寸、试验和要求。 |
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等同采用IEC 60622:2002 |
中国电子技术标准化研究所、中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 19. |
碱性铁镍蓄电池通用规范 |
规定了碱性铁镍蓄电池的技术要求、试验方法、质量评定程序和标志、包装、运输、储存。 |
GB/T 12725-1991 |
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国营七五五厂 |
| 20. |
混合动力电动汽车用金属氢化物镍蓄电池 |
规定了混合动力电动汽车用金属氢化物镍蓄电池的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存 |
GB/T 18332.2-2001 |
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中山中炬森莱高技术有限公司 |
| 21. |
排气式镉镍蓄电池用电解液 |
规定排气式镉镍蓄电池用电解液及其成分的组分、纯度和特性，以及在没有制造方特殊建议时对电解液的要求。 |
GB/T 18270-2000 |
等同采用
IEC 60993:1989 |
国营第七五五厂 |
| 22. |
光伏器件 第10部分：线性特性测量方法 |
规定了以测试参数来确定光伏器件的任意参数的线性特性程序，主要供校准实验室、组件生产厂家和系统设计者使用。 |
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等同采用 IEC 60904-10:1998 |
上海交大泰阳绿色能源有限公司、中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 23. |
电阻器和电容器的标志代码 |
本标准规定了电阻器和电容器的标志代码，以及塑料膜和纸介电容器的介质材料和电极的索引。 |
GB/T 2691-1994 |
等同采用IEC 60002：2004 |
中国电子技术标准化研究所 |
| 24. |
电子设备用固定电容器 第8-1部分：空白详细规范：1类瓷介固定电容器 评定水平EZ |
标准的主要内容是GB/T5966分规范的补充性文件，包括对详细规范的格式、编排和最少的要求。 |
GB/T 5967-1996 |
等同采用IEC60384-8-1:2005 |
国营第七一五厂 |
| 25. |
电子设备用固定电容器 第9部分：分规范：2类瓷介固定电容器 |
标准的主要内容是对电子设备用2类瓷介固定电容器规定优先额定值和特性，并从GB/T 2693-2001 (IEC
60384-1)《电子设备用固定电容器 第1部分：总规范》中选择适当的质量评定程序、试验和测量方法，以及给出一般性能要求。 |
GB/T 5968-1996 |
等同采用IEC60384-9:2005 |
国营第七一五厂 |
| 26. |
电子设备用固定电容器 第9-1部分：空白详细规范 2类瓷介固定电容器 评定水平EZ |
本规范的主要内容是对电子设备用2类瓷介固定电容器详细规范的编制选择适当的质量评定程序、试验和测量方法，给出一般性能要求 |
GB/T5969-1996 |
等同采用IEC60384-9-1:2005 |
国营第七一五厂 |
| 27. |
电子设备用固定电容器 第2部分：分规范金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器 |
本部分适用于电子设备用的以金属化层为电极并以聚乙烯对苯二甲酸酯（简称聚酯）膜为介质的直流固定电容器。 |
GB 7332-1996 |
等同采用 IEC60384-2:2005 |
鹤壁市华中科技电子有限责任公司 |
| 28. |
电子设备用固定电容器 第2-1部分：空白详细规范 金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器 评定水平E和EZ |
金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器评定水平E和EZ |
GB/T 7333-1996 |
等同采用IEC60384-2-1:2005 |
鹤壁市华中科技电子有限责任公司 |
| 29. |
电子设备用固定电容器 第7部分：分规范 金属箔式聚 苯乙烯膜介质直流固定电容器 |
本部分适用于电子设备用的以聚苯乙烯膜作为介质、并以金属箔作电极的直流固定电容器。 |
GB/T 10185-1988 |
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鹤壁市华中科技电子有限责任公司 |
| 30. |
电子设备用固定电容器 第7-1部分：空白详细规范 金属箔式聚 苯乙烯膜介质直流固定电容器 评定水平E |
金属箔式聚苯乙烯膜介质直流固定电容器评定水平E |
GB/T 10186-1988 |
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鹤壁市华中科技电子有限责任公司 |
| 31. |
电子设备用固定电容器 第16-1部分:空白详细规范 金属化聚丙烯膜介质直流固定电容器 评定水平E和EZ |
金属化聚丙烯膜介质直流固定电容器 评定水平E和EZ |
GB 10191-1988 |
等同采用 IEC60384-16-1:2005 |
鹤壁市华中科技电子有限责任公司 |
| 32. |
电子设备用固定电容器 第18-1部分：空白详细规范：表面安装MnO2固体电解质铝电解固定电容器评定水平EZ |
规定了表面安装的固体铝电解电容器空白详细规范的格式、要求等 |
GB/T 17207-1998 |
等同采用
IEC 60384-18-1：2007
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中国电子技术标准化研究所 |
| 33. |
有质量评定的声表面波（SAW）滤波器 第1部分：总规范 |
本部分规定了用于能力批准程序或鉴定批准程序有质量评定的声表面波滤波器的试验方法和通用性要求。 |
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修改采用 IEC60862-1：2003 |
中国电子科技集团第二十六研究所 |
| 34. |
有质量评定的声表面波（SAW）滤波器 第2部分：使用指南 |
本部分包括各种声表面波滤波器结构，这些声表面波滤波器结构的工作频率范围大约为10MHz至3GHz不等，相对带宽为中心频率的0.02％至100％。 |
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修改采用 IEC60862-2：2002 |
中国电子科技集团第二十六研究所 |
| 35. |
永磁铁氧体磁体 第1部分：总规范 |
本部分规定了永磁铁氧体磁体（以下简称“磁体”）的质量评定程序，分规范、空白详细规范选用的试验项目和测量方法以及有关的单位、符号和术语。还规定了编写空白详细规范的规则。本部分适用于电声、电信仪器、仪表、电真空器件、微波器件、微特电机、磁选设备、吸附设备、磁力机械、磁性密封等装置的各向同性和各向异性磁体，包括粘结磁体。 |
GB/T 12796-1991 |
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宜宾金川电子有限责任公司 |
| 36. |
未经涂覆的磁性氧化物环形磁心的尺寸 |
本标准规定了未经涂覆的环形磁心的尺寸及其有效参数，以及磁心外径与内径、高度与内径的最佳比值 |
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天通控股有限公司 |
| 37. |
电子设备用电源变压器和滤波扼流圈总技术条件 |
本标准是对GB/T 15290—1994的修订，其主要内容、文本结构完全和GB/T 15290—1994相同，因此无需经过验证试验。本标准是电子设备用电源变压器和滤波扼流圈的基础标准，标准对其技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存等做了规定。本标准为我国电子设备用电源变压器和滤波扼流圈的生产提供了技术依据 |
GB/T 15290—1994 |
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上海亚明灯泡厂有限公司 |
| 38. |
电子和通信设备用变压器和电感器 第3部分：按能力批准程序评定质量的电源变压器分规范 |
本标准规定了按GB/T
14860.1-××××规定的能力批准程序放行的电源变压器详细规范编制方法。本标准包括空白详细规范（BDS）。空白详细规范规定了格式并指出了适合于这类元件的试验；还规定了相应的额定值和特性 |
GB/T 15183-94 |
修改采用IEC 61248-3：1996 |
东莞市大忠电子有限公司 |
| 39. |
磁性氧化物或铁粉制成的轴向引线磁心 |
本标准规定了磁性氧化物或铁粉制成的轴向引线磁心的尺寸、机械特性及其测量方法和有关试验。本标准规定的轴向引线磁心主要用于通信和其它电子设备中的小型线绕电感器。 |
GB/T 12789-1991 |
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浙江春晖复合材料有限公司 |
| 40. |
软磁铁氧体磁心名词术语 第1部分：物理缺陷术语 |
本部分规定了铁氧体（磁性氧化物）磁心中最常见的表面缺陷、体缺陷及形状缺陷命名法。 |
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等同采用IEC60401-1:2002 |
中国电子科技集团第九研究所 |
| 41. |
软磁铁氧体磁心术语定义第2部分：尺寸标注 |
本部分给出了对软磁铁氧体（磁性氧化物）磁心形状主要特征尺寸标识代码进行定义的方法。 |
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等同采用IEC60401-2:2003 |
中国电子科技集团第九研究所 |
| 42. |
半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分：外部目检 |
目的是验证半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合适用的采购文件的要求。外部目检是非破坏性试验，适用于所有的封装类型。本试验用于鉴定检验、过程监控、批接收。 |
GB/T 4937-1995 |
等同采用IEC60749-3:2002 |
中国电子科技集团第十三研究所 |
| 43. |
半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验 |
本部分规定了强加速稳态湿热试验（HAST）方法，通过施加严酷的温度、湿度和偏置条件来加速潮气穿透外部保护材料（灌封或密封）或外部保护材料和金属导体的交接面，用于评价非气密封装半导体器件在潮湿的环境下的可靠性。 |
GB/T 4937-1995 |
等同采用IEC60749-4:2002 |
中国电子科技集团第十三研究所 |
| 44. |
离子束蚀刻机通用规范 |
本规范规定了离子束蚀刻机的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输、贮存。 本规范适用于物理溅射腐蚀作用的通用离子束蚀刻机。其它专用离子束蚀刻机亦可参照执行。 |
GB/T15861-1995 |
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中国电子科技集团第四十八研究所 |
| 45. |
离子注入机通用规范 |
本规范规定了离子注入机的术语、产品分类、技术要求、试验、检验规则和标志、包装、运输、贮存。本规范适用于半导体工艺用电能离子注入机。其它离子注入机亦可参照使用。 |
GB/T 15862-1995 |
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中国电子科技集团第四十八研究所 |