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| 英文名称： |
Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1:Classification of defects |
 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>电子设备专用材料、零件、结构件>>L90电子技术专用材料 |
| ICS分类： |
电子学>>半导体器件>>31.080.99其他半导体器件 |
| 采标情况： |
IEC 63068-1:2019,IDT |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2023-12-28 |
| 实施日期： |
2024-07-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： |
河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、山东天岳先进科技股份有限公司、之江实验室、浙江大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、ＴＣＬ环鑫半导体(天津)有限公司等 |
| 起草人： |
房玉龙 芦伟立 李佳 张冉冉 张红岩 王健 李丽霞 殷源 李振廷 张建峰 徐晨 杨青 刘立娜 钮应喜 金向军 丁雄杰 刘薇 杨玉聪 魏汝省 吴会旺 姚玉 高东兴 王辉 陆敏 夏俊杰 周少丰 郭世平 |
| 页数： |
24页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |