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半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类

国家标准
标准编号:GB/T 43493.1-2023 标准状态:现行
标准价格:43.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类,并通过明场光学显微术(OM)、光致发光(PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。
英文名称:  Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1:Classification of defects
什么是中标分类? 中标分类:  电子元器件与信息技术>>电子设备专用材料、零件、结构件>>L90电子技术专用材料
什么是ICS分类?  ICS分类:  电子学>>半导体器件>>31.080.99其他半导体器件
什么是采标情况? 采标情况:  IEC 63068-1:2019,IDT
发布部门:  国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:  2023-12-28
实施日期:  2024-07-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位:  河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、山东天岳先进科技股份有限公司、之江实验室、浙江大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、TCL环鑫半导体(天津)有限公司等
起草人:  房玉龙 芦伟立 李佳 张冉冉 张红岩 王健 李丽霞 殷源 李振廷 张建峰 徐晨 杨青 刘立娜 钮应喜 金向军 丁雄杰 刘薇 杨玉聪 魏汝省 吴会旺 姚玉 高东兴 王辉 陆敏 夏俊杰 周少丰 郭世平
页数:  24页
出版社:  中国标准出版社
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