半导体分立器件 ３ＤＤ６型功率晶体管详细规范 |
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| 标准编号：SJ 20183-1992 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：16.0 元 |
客户评分：  |
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本规范规定了3DD6B~I型功率晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级). |
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| 英文名称： |
Semiconductor discrete device-Detail specification for Type 3DD6 power transistor |
 中标分类： |
矿业>>矿业综合>>D01技术管理 |
| 发布部门： |
中国电子工业总公司 |
| 发布日期： |
1992-11-19 |
| 实施日期： |
1993-05-01
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| 归口单位： |
中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： |
中国电子技术标准化研究所 |
| 起草人： |
蔡仁明、任慧敏、周志坤、罗德炎 |
| 页数： |
12页 |
| 出版社： |
电子工业出版社 |
| 出版日期： |
1993-04-01 |
| 标准前页： |
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GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
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