半导体分立器件 2CW2970~3015型硅电压调整二极管详细规范 |
 |
| 标准编号:SJ 20186-1992 |
标准状态:现行 |
|
| 标准价格:15.0 元 |
客户评分:     |
|
|
立即购买工即可享受本标准状态变更提醒服务! |
|
|
|
|
|
|
本规范规定了2CW2970~3015型的型(标准极性)硅电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求。该器件按GJB33〈〈半导体分立器件总规范〉〉的规定,提供产品保证的三企等级(GP,GT和GCT级). |
|
|
|
| 英文名称: |
Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon voltage regulate diodes for Types 2CW2970~3015 |
中标分类: |
矿业>>矿业综合>>D01技术管理 |
| 发布部门: |
中国电子工业总公司 |
| 发布日期: |
1992-11-19 |
| 实施日期: |
1993-05-01
|
| 提出单位: |
中国电子工业总公司科技质量局 |
归口单位: |
中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位: |
中国电子技术标准化研究所和国营八七三厂 |
| 起草人: |
于志贤、刘东才 |
| 页数: |
11页 |
| 出版社: |
电子工业出版社 |
| 出版日期: |
1993-04-01 |
| 标准前页: |
|
|
|
|
GB 6571-1986 小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法
GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法 |
|
|
|
| |