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英文名称: |
Detail specification for electronic components-Case-rated bipolar transistors for silicon NPN low frequency amplification,Type 3DD2027 |
标准状态: |
已废止 |
中标分类: |
能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理 |
采标情况: |
日本日立,东芝公司标准 NEQ |
发布日期: |
1988-04-08 |
实施日期: |
1988-12-01
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作废日期: |
2010-01-20
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页数: |
11页 |
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