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| 英文名称： |
Detail specification for electronic components-Case-rated bipolar transistors for silicon NPN low frequency amplification,Type 3DD871 |
| 标准状态： |
已废止 |
 中标分类： |
能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理 |
| 采标情况： |
日本日立，东芝公司标准 NEQ |
| 发布部门： |
中华人民共和国电子工业部 |
| 发布日期： |
1988-04-08 |
| 实施日期： |
1988-12-01
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| 作废日期： |
2010-01-20
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| 起草单位： |
电子工业部标准化研究所和742厂 |
| 页数： |
11页 |
| 出版社： |
电子工业出版社 |
| 出版日期： |
1988-11-01 |
| 标准前页： |
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