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T/CGTA 09-2024 发芽糙米中γ-氨基丁酸的测定 高效液相色谱-串联质谱法
(现行)
中标分类:
食品
>>
食品加工与制品
>>
X11粮食加工与制品
ICS 分类:
食品技术
>>
67.060谷物、豆类及其制品
发布日期:2024-09-20 实施日期:2024-09-20
简介: 本文件规定了高效液相色谱—串联质谱法测定发芽糙米中γ—氨基丁酸的术语和定义、原理、试剂与材料、仪器与设备、试样制备与保存、分析步骤、结果计算、精密度及其他的要求。 本文件适用于发芽糙米中γ—氨基丁酸含量的测定。
标准定价: ¥
29.0
元
T/OTOP 1057-2024 渝北民宿管理通用要求
(现行)
中标分类:
>>
>>
ICS 分类:
社会学、 服务、公司(企业)的组织和管理、行政、运输
>>
03.200娱乐、旅游
发布日期:2024-11-20 实施日期:2024-11-20
简介: 本标准规定了渝北民宿的管理原则、基本要求、配套设施管理、安全管理、环境与卫生管理、运营管理、服务管理、社会责任、评价与改进等内容。 本文件适用于渝北民宿的服务与管理。相关机构开展民宿质量分级和服务等级评定可参照使用,民宿的建设运营和服务管理也可参考 ...
标准定价: ¥
38.0
元
T/OTOP 1056-2024 渝北区电商直播人才培训通用标准
(现行)
中标分类:
>>
>>
ICS 分类:
社会学、 服务、公司(企业)的组织和管理、行政、运输
>>
03.180教育
发布日期:2024-11-20 实施日期:2024-11-20
简介: 本文件规定了电商直播专业人才的培训组织、电商直播专业人才技能标准、电商直播培训基础知识要点、培训流程规范、培训服务品质保障与监察、电商直播专业人才评估、档案管理。 本文件适用于重庆市渝北区内的教育机构、培训组织、实习基地等对电商直播从业者的培训与管 ...
标准定价: ¥
43.0
元
T/SHSYCXH 15-2024 人体外周血免疫细胞表型数据集结构与实施通用要求
(现行)
中标分类:
综合
>>
基础学科
>>
A40基础学科综合
ICS 分类:
数学、自然科学
>>
07.080生物学、植物学、动物学
发布日期:2024-11-20 实施日期:2024-11-20
简介: 本文件规定了人体外周血免疫细胞表型数据集元数据属性、数据质量控制标准、人体外周血免疫细胞亚群流式标志物定义、人体外周血免疫细胞亚群层级关系、人体外周血免疫细胞表型参数类型、数据储存标准及数据报告规范。 本文件适用于使用流式细胞术进行人体外周血免疫细 ...
标准定价: ¥
38.0
元
T/CMEAS 030-2024 儿童哮喘标准化门诊建设规范
(现行)
中标分类:
>>
>>
ICS 分类:
医药卫生技术
>>
11.020医学科学和保健装置综合
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件提供了开展儿童哮喘检查评估、诊断、治疗、教育及管理门诊的指导建议。 本文件适用于各级各类医疗卫生机构。
标准定价: ¥
54.0
元
T/CASAS 043-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高温反偏试验方法
(现行)
中标分类:
>>
电子元器件与信息技术
>>
L40/49半导体分立器件
ICS 分类:
电子学
>>
31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高温反偏试验方法,包括试验装置、失效判定。 本文件适用于对SiC MOSFET功率器件、功率模块的可靠性评估。
标准定价: ¥
31.0
元
T/CASAS 045-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态栅偏试验方法
(现行)
中标分类:
>>
电子元器件与信息技术
>>
L40/49半导体分立器件
ICS 分类:
电子学
>>
31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)动态栅偏试验方法,包括:试验条件、测试方法、应用范围以及失效判据。 本文件适用于对SiC MOSFET栅氧质量的评估,主要包括芯片、分立器件、模块。
标准定价: ¥
31.0
元
T/CASAS 044-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)高压高温高湿反偏试验方法
(现行)
中标分类:
>>
电子元器件与信息技术
>>
L40/49半导体分立器件
ICS 分类:
电子学
>>
31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)高压高温高湿反偏试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。 本文件适用范围:SiC MOSFET分立功率器件,功率模块。
标准定价: ¥
31.0
元
T/CASAS 033-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法
(现行)
中标分类:
>>
电子元器件与信息技术
>>
L40/49半导体分立器件
ICS 分类:
电子学
>>
31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了双脉冲测试条件下SiC MOSFET功率器件开关动态测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。 本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiC MOSFET功率器件的开关动态测试与评估,对于SiC ...
标准定价: ¥
38.0
元
T/CASAS 046-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态反偏(DRB)试验方法
(现行)
中标分类:
>>
电子元器件与信息技术
>>
L40/49半导体分立器件
ICS 分类:
电子学
>>
31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的动态反偏(DRB)试验方法,用于评估高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。 本文件适用于单管级和模块级SiC MOSFET。
标准定价: ¥
31.0
元
T/CASAS 042-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)高温栅偏试验方法
(现行)
中标分类:
>>
电子元器件与信息技术
>>
L40/49半导体分立器件
ICS 分类:
电子学
>>
31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)高温栅偏试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。 本文件适用范围:SiC MOSFET分立功率器件,功率模块。
标准定价: ¥
31.0
元
T/CASAS 037-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)栅极电荷测试方法
(现行)
中标分类:
>>
>>
ICS 分类:
电子学
>>
31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的栅极电荷测试方法,包括:测试原理、测试电路、测试条件以及数据处理方法。 本文件仅适用于增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件特性表征及可靠性测试等工作场景,可用于以下测试目标 ...
标准定价: ¥
38.0
元
T/CASAS 047-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法
(现行)
中标分类:
>>
>>
ICS 分类:
电子学
>>
31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法,用于评估高温高湿高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。 本文件适用于单管级和模块级SiC MOSFET。
标准定价: ¥
31.0
元
T/CASAS 021-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFE阈值电压测试方法
(现行)
中标分类:
>>
电子元器件与信息技术
>>
L40/49半导体分立器件
ICS 分类:
电子学
>>
31.080半导体器件
发布日期:2024-11-19 实施日期:2024-11-19
简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)阈值电压测试方法。 本文件适用于N沟道SiCMOSFET晶圆、芯片及封装产品的测试。
标准定价: ¥
38.0
元
DB32/T 4870-2024 中医膏方临床应用与制备工艺规范
(现行)
中标分类:
医药、卫生、劳动保护
>>
医药
>>
C10医药综合
ICS 分类:
01.040.00
发布日期:2024-10-18 实施日期:2024-10-18
简介: 本文件给出了中医膏方的分类,规定了中医膏方的处方开具、服用人群、用法忌口、用药忌口、膏前调治、用药安全和制备工艺等要求。 本文件适用于中医膏方的临床应用与制备。
标准定价: ¥
38.0
元
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