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英文名称: |
STANDARD test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes |
标准状态: |
已作废 |
替代情况: |
被GB/T 14863-2013代替 |
中标分类: |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L41半导体二极管 |
ICS分类: |
29.040.30 |
UDC分类: |
621.38 |
发布部门: |
国家技术监督局 |
发布日期: |
1993-01-02 |
实施日期: |
1994-10-01
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作废日期: |
2014-08-15
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首发日期: |
1993-12-30 |
复审日期: |
2004-10-14 |
归口单位: |
信息产业部(电子) |
主管部门: |
信息产业部(电子) |
起草单位: |
机械电子工业部所和所 |
页数: |
平装16开, 页数:12, 字数:19千字 |
出版社: |
中国标准出版社 |
标准前页: |
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