GB/T5594《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法》分为以下部分:
———气密性测试方法(GB/T5594.1);
———杨氏弹性模量 泊松比测试方法(GB/T5594.2);
———第3部分:平均线膨胀系数测试方法(GB/T5594.3);
———第4部分:介电常数和介质损耗角正切值的测试方法(GB/T5594.4);
———体积电阻率测试方法(GB/T5594.5);
———第6部分:化学稳定性测试方法(GB/T5594.6);
———第7部分:透液性测定方法(GB/T5594.7);
———第8部分:显微结构测定方法(GB/T5594.8);
———电击穿强度测试方法(GB/T5594.9)。
本部分为 GB/T5594的第8部分。
本部分按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本部分代替 GB/T5594.8—1985《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 显微结构的测定》。
本部分与 GB/T5594.8—1985相比,主要有下列变化:
———标准名称改为:“电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 第8部分:显微结构测定方法;
———“3.1 显微结构”定义中,增加了晶界、相间物质、空间上的相互排列和组合关系等;
———“4 样品的制备”中,增加了“小尺寸样品,可以直接采用单面磨制”;
———“7 测试结果的综合表示”中,增加了部分显微结构照片,将晶粒大小放在前面。显微缺陷、气孔数量、玻璃相等部分放在后面;
———删除了气孔、玻璃相含量等级表示方法(见 GB/T5594.8—1985中4.2.2、4.3)。
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本部分由中华人民共和国信息工业和信息化部提出。
本部分由中国电子技术标准化研究院归口。
本部分起草单位:中国电子科技集团公司第十二研究所、中国电子技术标准化研究院、江苏常熟银洋陶瓷器件有限公司。
本部分主要起草人:江树儒、曹易、高永泉、翟文斌。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T5594.8—1985。 |
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