半导体分立器件 ３ＤＤ１０１型功率晶体管详细规范 |
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| 标准编号：SJ 20310-1993 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：15.0 元 |
客户评分：  |
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本规范规定了3DD101A~E型NPN硅功率晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）。 |
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| 英文名称： |
Detail specification for Type 3DD101 power transistor |
 中标分类： |
石油>>石油综合>>E01技术管理 |
| 发布部门： |
中华人民共和国电子工业部 |
| 发布日期： |
1993-05-11 |
| 实施日期： |
1993-07-01
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| 归口单位： |
中国电子工业总公司 |
| 起草单位： |
机械电子工业部电子标准化研究所 |
| 起草人： |
蔡仁明、罗德炎、周志坤 |
| 页数： |
10页 |
| 出版社： |
电子工业出版社 |
| 出版日期： |
1993-06-01 |
| 标准前页： |
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GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
GB 4571-1984双极型晶体管测试方法 |
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