半导体分立器件 ３ＤＧ１１１型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范 |
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| 标准编号：SJ 20059-1992 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：14.0 元 |
客户评分：  |
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本规范规定了３DG111型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级). |
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| 英文名称： |
Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon NPN high-frequency low power transistor of Type 3DG111 |
 中标分类： |
综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理 |
| 发布部门： |
中国电子工业总公司 |
| 发布日期： |
1992-11-19 |
| 实施日期： |
1993-05-01
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| 提出单位： |
中国电子工业总公司科技质量局 |
| 归口单位： |
中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： |
中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂 |
| 起草人： |
王长福、王承琳、谢佩兰 |
| 页数： |
10页 |
| 出版社： |
电子工业出版社 |
| 出版日期： |
1993-04-01 |
| 标准前页： |
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